公开(公告)号：WO2022088204A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/CN2020/126015

申请日：2020-11-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴绍龙 ,  周禄为 ,  张程 ,  李孝峰 ,  李刘晶

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明属光电领域，公开了一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200~2500 nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集，本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外-可见-近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。

公开(公告)号：WO2021233278A1

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：PCT/CN2021/094314

申请日：2021-05-18

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭 ,  钟晓兰

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/102 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种混合成像探测器结构，包括：上下叠设的可见光传感器和红外传感器，光线先入射至可见光传感器，经吸收及过滤后，再进一步入射至红外传感器；其中，所述可见光传感器为封盖结构，将所述红外传感器真空密封设于单芯片的衬底。本发明利用传统CMOS-MEMS微桥谐振腔结构进行中远红外探测，同时使用带有pn结或金属半导体接触势垒器件的封盖来实现真空封装和可见光的探测，从而实现低成本、高质量及无相差的可见光和中远红外图像的单芯片图像融合。

公开(公告)号：WO2020240087A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/FI2020/050352

申请日：2020-05-26

Applicant: ELFYS OY

Inventor： HAARAHILTUNEN, Antti ,  HEINONEN, Juha ,  JUNTUNEN, Mikko ,  MODANESE, Chiara ,  PASANEN, Toni ,  SAVIN, Hele ,  VÄHÄNISSI, Ville

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102

Abstract: This disclosure relates to a radiation sensor element (100) comprising a semiconductor substrate (101), having a bulk refractive index; a front surface (102); a back surface (103), extending substantially along a base plane (104); and a plurality of pixel portions (110). Each pixel portion (111, 112) comprises a collection region (120) on the back surface (103) and a textured region (130) on the front surface (102). The textured regions (130) comprise high aspect ratio nanostructures (135), extending substantially along a thickness direction perpendicular to the base plane (104) and forming an optical conversion layer (136), having an effective refractive index gradually changing towards the bulk refractive index to reduce reflection of light incident on said pixel portion from the front side of the semiconductor substrate (101).

公开(公告)号：WO2020238430A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/CN2020/083891

申请日：2020-04-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘清召 ,  王国强 ,  王久石 ,  董水浪 ,  梁志伟

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/102

Abstract: 一种光电二极管器件及其制造方法、阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括依次叠层设置的第一电极(2)、光电二极管(1)和第二电极(3)，所述光电二极管(1)的外部轮廓具有至少一个尖角，其中，所述第一电极(2)和第二电极(3)中的至少一个在与所述至少一个尖角的位置对应的位置处倒角设置，以暴露所述至少一个尖角。由于第一电极(2)第二电极(3)中的至少一个在与尖角的位置对应的位置处设置有倒角，从而暴露尖角，由此可弱化光电二极管(1)的边缘暗电流。

公开(公告)号：WO2012150177A2

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/EP2012/057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

Inventor： KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen UV-Photodetektor mit hoher Empfindlichkeit und einem geringen Dunkelstrom. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen UV-Photodetektor anzugeben, der eine hohe Empfindlichkeit und einen geringen Dunkelstrom aufweist. Erfindungsgemäß weisen die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material auf, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ausbildet.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高灵敏度和低暗电流UV光检测器。 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 根据本发明，所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二电极结构的指状物（24）（20）包括第二半导体材料的顶层（30）被设置，其中所述覆盖层（30）的吸收体层（12）上 并且在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被形成为使得在吸收层（12）和所述外层之间的边界层（30） 在手指（18，24）的区域形成的二维电子气（2DEG）。

公开(公告)号：WO2011008979A3

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：PCT/US2010042168

申请日：2010-07-15

Applicant: LOCKHEED CORP ,  SCOTT JEFF ,  PALOCZI GEORGE

Inventor： SCOTT JEFF ,  PALOCZI GEORGE

IPC: H01L31/102 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/142 ,  H01L27/14649 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  Y02E10/544

Abstract: A strain-balanced photodetector is provided for detecting infrared light at an extended cutoff wavelength in the range of 4.5 µm or more. An InAsSb absorber layer has an Sb content is grown in a lattice-mismatched condition to a GaSb substrate, and a plurality of GaAs strain-compensating layers are interspersed within the absorber layer to balance the strain of the absorber layer due to the lattice mismatch. The strain-compensation layers allow the absorber to achieve a thickness exhibiting sufficient absorption efficiency while extending the cutoff wavelength beyond that possible in a lattice-matched state. Additionally, the strain-compensation layers are sufficiently thin to be substantially quantum-mechanically transparent such that they do not substantially affect the transmission efficiency of the absorber. The photodetector is preferably formed as a majority carrier filter photodetector exhibiting minimal dark current, and may be provided individually or in a focal plane array.

Abstract translation: 提供一种应变平衡光电检测器，用于检测在4.5μm或更大的范围内的延长截止波长的红外光。 InAsSb吸收层的Sb含量以栅格不匹配的条件生长到GaSb衬底，并且多个GaAs应变补偿层散布在吸收层内，以平衡由于晶格失配而引起的吸收层的应变。 应变补偿层允许吸收体实现具有足够的吸收效率的厚度，同时将截止波长延伸超过在晶格匹配状态下可能的截止波长。 此外，应变补偿层足够薄以使其基本上是量子力学上透明的，使得它们基本上不影响吸收体的传输效率。 优选地，光电检测器形成为显示最小暗电流的多数载波滤波器光电检测器，并且可以单独设置或在焦平面阵列中提供。

公开(公告)号：WO2011050322A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/US2010/053847

申请日：2010-10-22

Applicant: LOCKHEED MARTIN CORPORATION ,  SCOTT, Jeff, W.

Inventor： SCOTT, Jeff, W.

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/1013

Abstract: A barrier-type photo-detector is provided with a barrier between first and second layers. One of the layers is delineated into pixels without fully removing the non-pixel portions of the delineated layer. Delineation may be accomplished through material modification techniques such as ion damage, selective doping, ion induced disordering or layer material growth. Some variations may employ partial material removal techniques.

Abstract translation: 屏障型光电检测器在第一和第二层之间设有阻挡层。 其中一个层被描绘成像素，而没有完全去除划定的图层的非像素部分。 描述可以通过材料修饰技术完成，例如离子损伤，选择性掺杂，离子诱导的无序或层材料生长。 一些变型可以采用部分材料去除技术。

公开(公告)号：WO2006031601A9

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：PCT/US2005032029

申请日：2005-09-08

Applicant: RJ MEARS LLC ,  MEARS ROBERT J ,  STEPHENSON ROBERT JOHN

Inventor： MEARS ROBERT J ,  STEPHENSON ROBERT JOHN

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/102 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/4202 ,  H01L31/173

Abstract: An integrated circuit may include at least one active optical device including a superlattice including a plurality of stacked groups of layers. Each group of layers of the superlattice may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion and an energy band-modifying layer thereon. The energy-band modifying layer may include at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. The integrated circuit may further include a waveguide coupled to the at least one active optical device.

Abstract translation: 集成电路可以包括至少一个有源光学器件，其包括包含多个层叠的多组层的超晶格。 超晶格的每组层可以包括在其上限定基极半导体部分和能带改性层的多个堆叠的基底半导体单层。 能带修改层可以包括约束在相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。 集成电路还可以包括耦合到至少一个有源光学器件的波导。

公开(公告)号：WO2017018477A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/JP2016/072132

申请日：2016-07-28

Applicant: 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

Inventor： 奥村　滋一 ,  最上　徹 ,  木下　啓藏 ,  堀川　剛 ,  藤方　潤一

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/102

Abstract: 暗電流を効果的に低減することができると共にＧｅによる製造ラインの汚染防止にも効果のある、Ｇｅ層上にＳｉキャップ層を設けた光デバイスを提供する。　光デバイスの一態様は、Ｇｅを含んだ半導体層であって、（００１）面と、（００１）面と（１１０）面の間のファセット面とを有する半導体層と、前記半導体層の前記（００１）面と前記ファセット面上に形成されたＳｉからなるキャップ層と、を備え、前記（００１）面における前記キャップ層の膜厚に対する前記ファセット面における前記キャップ層の膜厚の比が０．４以上であり、前記（００１）面における前記キャップ層の膜厚が９ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

Abstract translation: 本发明提供一种在Ge层上设置Si覆盖层的光学器件，其能够有效地降低暗电流，同时对防止Ge的生产线污染具有良好的效果。 根据本发明的光学器件的一个实施例提供有：包含Ge并具有（001）表面和在（001）表面和（110）表面之间的刻面的半导体层; 以及由Si形成并形成在半导体层的（001）表面和小面上的盖层。 表面上的盖层的膜厚与（001）表面上的盖层的膜厚的比例为0.4以上; （001）表面上的盖层的膜厚为9nm〜30nm（含）。

公开(公告)号：WO2016078983A3

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015/076311

申请日：2015-11-11

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  HERMANN, Martin

Inventor： HERMANN, Martin

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/102 ,  G01J1/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches System und ein Verfahren zur Messung der Intensität von EUV-Strahlung (35) in dem optischen System, insbesondere einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage. Zur Messung der Intensität wird als Detektormaterial (11, 32) ein Gruppe-Ill-Nitrid verwendet, welches je nach Messprinzip zur Erzeugung eines Photostroms als Absorbermaterial in einer Photodiode (10) oder zur Erzeugung von Sekundärstrahlung (36) in einem Quantenkonverter (31, 32) eingesetzt wird. Durch die Messung der Sekundärstrahlung bzw. des Lumineszenzlichtes bei verschiedenen Photonenenergien kann die Alterung oder Degradierung des Detektormaterials (32) überwacht werden.