发明公开
- 专利标题： 一种氮化镓器件的外延结构
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申请号： CN201911322814.6申请日： 2019-12-20
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公开(公告)号： CN110993689A公开(公告)日： 2020-04-10
- 发明人: 王东 , 吴勇 , 汪琼 , 陈兴 , 严伟伟 , 陆俊 , 葛林男 , 何滇 , 王俊杰 , 曾文秀 , 操焰 , 崔傲 , 袁珂 , 陈军飞 , 张进成
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 代理机构： 芜湖思诚知识产权代理有限公司
- 代理商 房文亮
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/10 ; H01L21/335
摘要：
一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
IPC分类:
