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公开(公告)号：CN111584626A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P-型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P-型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN111129114A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911365345.6
申请日：2019-12-26
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 一种Si基GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN110993689A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911322814.6
申请日：2019-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN111081762B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN111584345A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465615.7
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种提高碳化硅功率器件散热性能的制备方法，属于微电子技术领域，该器件包括从下至上依次层叠设置的高掺杂金刚石衬底层、SiC材料层、SiO2掩膜层、金属层和Si3N4绝缘层，同时还公开了上述器件的制备方法，本发明在SiC材料层的C面生长高掺杂金刚石层衬底，利用金刚石高的热导率，散热性能好，器件导通电阻低、较好的热稳定性，进而增加散热效率，可以有效增加碳化硅功率器件的散热速度，降低碳化硅功率器件的导通电阻，从而增强器件工作性能。
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公开(公告)号：CN111584626B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P‑型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P‑型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN111564490B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010465882.4
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN112133749A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964501.7
申请日：2020-09-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN111584620A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465628.4
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN111063726A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911322780.0
申请日：2019-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
摘要： 一种Si基氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由ALN/GaN循环生长组成，缓冲层是由InN/SiN/GaN循环生长组成，包括InN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过循环生长ALN/GaN成核层主要作用是缓解衬底与外延层的晶格失配和热失配，InN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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