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公开(公告)号：CN111996510B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010774596.6
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/511 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及一种用于金刚石生长的PLC真空压力控制方法及装置，该方法包括：获取第一工艺气体参数和第一目标压力、第二工艺气体参数和第二目标压力、第三工艺气体参数和第三目标压力；根据第一工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第一实时压力，根据第一实时压力与第一目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第二工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第二实时压力，根据第二实时压力与第二目标压力的比较结果对比例阀进行控制；根据第三工艺气体参数控制对应的隔膜阀和质量流量计运行，获取第三实时压力，根据第三实时压力与第三目标压力的比较结果对比例阀进行控制。该方法实现了各个阶段对真空压力的精确控制。
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公开(公告)号：CN112713189A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN111584626A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P-型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P-型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN111129114A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911365345.6
申请日：2019-12-26
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 一种Si基GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN110993689A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911322814.6
申请日：2019-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN111081762B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN112713188B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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公开(公告)号：CN112713190A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011603997.1
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN112713188A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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公开(公告)号：CN112133748A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964120.9
申请日：2020-09-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。
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