- 专利标题： 一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法
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申请号： CN202010465882.4申请日： 2020-05-28
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公开(公告)号： CN111564490A公开(公告)日： 2020-08-21
- 发明人: 吴勇 , 陆俊 , 王东 , 陈兴 , 汪琼 , 葛林男 , 严伟伟 , 何滇 , 曾文秀 , 王俊杰 , 操焰 , 崔傲 , 袁珂 , 陈军飞 , 张进成
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 代理机构： 芜湖思诚知识产权代理有限公司
- 代理商 房文亮
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L29/06
摘要：
一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底(101)、ALN成核层(102)、ALGaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、ALN插入层(105)、ALGaN势垒层(106)、LTPGaN(107)、PGaN(108)、钝化层(109)、源极(110)、漏极(111)、栅极(112)。在PGaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN(LTPGaN层)，该层的生长阻止了PGaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
公开/授权文献
- CN111564490B 一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法 公开/授权日：2022-07-01
IPC分类:
