发明公开
- 专利标题： 一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法
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申请号： CN202010964120.9申请日： 2020-09-15
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公开(公告)号： CN112133748A公开(公告)日： 2020-12-25
- 发明人: 王东 , 严伟伟 , 汪琼 , 吴勇 , 陈兴 , 陆俊 , 葛林男 , 何滇 , 曾文秀 , 王俊杰 , 穆潘潘 , 操焰 , 崔傲 , 袁珂 , 陈军飞 , 张进成
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
- 代理机构： 芜湖思诚知识产权代理有限公司
- 代理商 房文亮
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L21/335
摘要：
本发明公开了一种大尺寸Si衬底的HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底L1、纳米柱层L2、成核层L3、快速合并层L4、高阻层L5、沟道层L6以及势垒层L7，本发明提供了一种新的结构及长法，实现硅衬底上氮化镓外延薄膜的高晶格质量，提高器件的性能。
IPC分类:
