发明公开
CN113793872A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
-
申请号： CN202111054048.7申请日： 2015-12-03
-
公开(公告)号： CN113793872A公开(公告)日： 2021-12-14
- 发明人: 山崎舜平 , 田中哲弘 , 下村明久 , 山根靖正 , 德丸亮 , 佐藤裕平 , 筒井一寻
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县厚木市
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县厚木市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 姜冰
- 优先权： 2014-249819 20141210 JP 2015-096669 20150511 JP
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L27/12 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/51 ; H01L21/34 ; H01L21/02 ; C23C14/34 ; C23C14/08
摘要：
本公开的发明名称是“半导体装置及其制造方法”，且目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：衬底上形成的第一绝缘体；第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；第二绝缘体上形成的第一导电体；以及第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。
IPC分类:
