公开(公告)号：CN107004722A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067427.6

申请日：2015-12-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  田中哲弘 ,  下村明久 ,  山根靖正 ,  德丸亮 ,  佐藤裕平 ,  筒井一寻

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：在衬底上形成的第一绝缘体；在第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；在第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；在第二绝缘体上形成的第一导电体；以及在第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。

公开(公告)号：CN113793872A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111054048.7

申请日：2015-12-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  田中哲弘 ,  下村明久 ,  山根靖正 ,  德丸亮 ,  佐藤裕平 ,  筒井一寻

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

摘要： 本公开的发明名称是“半导体装置及其制造方法”，且目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：衬底上形成的第一绝缘体；第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；第二绝缘体上形成的第一导电体；以及第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。

公开(公告)号：CN107004717A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063157.1

申请日：2015-11-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  筒井一寻 ,  松田慎平

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14634 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种通态电流高的晶体管。该晶体管包括多个鳍、第一氧化物半导体、栅极绝缘膜及栅电极。相邻的两个鳍中的一个包含第二及第三氧化物半导体。另一个包含第四及第三氧化物半导体。第二氧化物半导体与第四氧化物半导体包括隔着栅电极互相相对的区域。栅电极与第二氧化物半导体隔着栅极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。栅电极与第四氧化物半导体隔着栅极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。