发明公开
- 专利标题: 一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件及制备方法
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申请号: CN202311363144.9申请日: 2023-10-20
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公开(公告)号: CN118136665A公开(公告)日: 2024-06-04
- 发明人: 张青竹 , 李恋恋 , 都安彦 , 殷华湘 , 曹磊 , 姚佳欣 , 张兆浩 , 李庆坤 , 桑冠荞
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 史晶晶
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件及制备方法。一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件,其包括:衬底,所述衬底上设有第一介质层;所述第一介质层内设有空隙阵列,所述空隙阵列包括多个空隙单元,每个空隙单元在所述衬底上方呈鳍式;设置于所述空隙单元上方的纳米片堆栈部,其中,所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层,所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道;环绕式栅极,其环绕所述纳米片堆栈部;源漏区,位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧,所述源漏区与环绕式栅极之间设置有空侧墙;所述空隙阵列内部和所述空侧墙内部填充有空气、还原性气体或者惰性气体中的至少一种。本发明实现了全空气侧墙隔离,大幅降低了器件的寄生电容,并且工艺稳定,结构可以精确控制。
IPC分类: