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公开(公告)号：CN118553774A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410749434.5
申请日：2024-06-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/06
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方向排列的第一端、中间段和第二端；环绕式栅极沿围绕沟道层的长度方向环绕中间段；第一侧墙位于源漏功能部与环绕式栅极之间，且位于相邻沟道层的第一端之间以及相邻沟道层的第二端之间，第一侧墙包括沿长度方向排列的第一部分和第二部分，第一部分与环绕式栅极接触，第二部分与源漏功能部接触，第一部分和第二部分的材质不同。本申请提供的半导体器件内膜层间位错较小，从而有助于提升半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118888585A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410814335.0
申请日：2024-06-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开了一种堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管及其制备方法。该堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的第一源漏极和第二源漏极；栅极，位于所述衬底上，位于所述第一源漏极和所述第二源漏极之间，且与所述第一源漏极和所述第二源漏极之间均形成有一空气侧墙；多个硅材料纳米片层，互相间隔地设置于所述栅极中，每一所述硅材料纳米片层分别连接所述第一源漏极和所述第二源漏极，每一所述硅材料纳米片层平行于所述衬底的上表面。本申请实施例的堆叠纳米片环绕栅极场效应晶体管，结构简单，寄生电容较小，工作速率较高。
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公开(公告)号：CN118136665A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311363144.9
申请日：2023-10-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件及制备方法。一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件，其包括：衬底，所述衬底上设有第一介质层；所述第一介质层内设有空隙阵列，所述空隙阵列包括多个空隙单元，每个空隙单元在所述衬底上方呈鳍式；设置于所述空隙单元上方的纳米片堆栈部，其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源漏区，位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧，所述源漏区与环绕式栅极之间设置有空侧墙；所述空隙阵列内部和所述空侧墙内部填充有空气、还原性气体或者惰性气体中的至少一种。本发明实现了全空气侧墙隔离，大幅降低了器件的寄生电容，并且工艺稳定，结构可以精确控制。
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公开(公告)号：CN117855275A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311665962.4
申请日：2023-12-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。沟道结构和源极以及漏极之间分别具有隔离结构，这样就可以利用隔离结构抑制亚Fin沟道漏电，从而降低器件关态漏电流。并且隔离结构的材料和纳米片的材料相同，隔离结构的掺杂浓度大于纳米片的掺杂浓度，隔离结构延伸至衬底，这样可以降低源极和漏极之间通过由于衬底形成的底部鳍片进行的能带隧穿导致的漏电流，进一步降低器件关态漏电流，提高器件整体性能。
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公开(公告)号：CN115832078A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211491362.6
申请日：2022-11-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/10 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种光电探测器及其制造方法，在目标衬底上形成有多层光电探测膜层，光电探测膜层包括依次层叠的第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层，第一类型掺杂和第二类型掺杂中的其中一个为P型掺杂，另一个为N型掺杂，也就是说，第一类型掺杂的第一膜层、第二膜层和第二类型掺杂的第三膜层构成了一个基于硅锗/硅异质结的光电探测膜层，即构成了一个光电探测单元，能够实现光电转化，多层光电探测膜层重复交叠，即多个光电探测单元的垂直串联，能够直接提高光电探测器的光电转化效率，并且不同数量的光电探测膜层也能对应不同的光生电动势，实现对于光电探测器光生电动势的调控需求。
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公开(公告)号：CN118888445A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410814338.4
申请日：2024-06-21
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开了一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。该制备方法包括：在衬底上沉积形成叠层，叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀硅合金层形成第一回缩腔，第一回缩腔位于相邻两个硅材料纳米片层之间；在第一回缩腔中制备覆盖第一回缩腔内侧表面的保护层，保护层凹陷形成第二回缩腔；基于第二回缩腔制备位于衬底上的栅极和两个源漏极，栅极与任一源漏极之间均形成有一空气侧墙；去除第一空间内的第一介电常数介质，第一空间为空气侧墙内由最高层的硅材料纳米片层上表面、栅极、以及任一源漏极所围成的空间，制备的晶体管结构较为简单，大幅降低了寄生电容，能够提高晶体管所在电路的工作效率。
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公开(公告)号：CN118136666A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311367875.0
申请日：2023-10-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件及制备方法。一种空气侧墙堆叠纳米片环栅器件，其包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部，其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源漏区，位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧，所述源漏区与环绕式栅极之间设置有空侧墙；所述空侧墙内部填充有空气、还原性气体或者惰性气体中的至少一种。本发明实现了全空气侧墙隔离，大幅降低了器件的寄生电容，并且工艺稳定，结构可以精确控制。
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公开(公告)号：CN117995903A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311786481.9
申请日：2023-12-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L23/373 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种纳米片环栅晶体管及其制备方法。一种纳米片环栅晶体管，其包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于衬底上方的纳米片堆栈部，其中，纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，纳米片形成的叠层构成多个导电沟道，纳米片为石墨烯纳米片；环绕式栅极，其环绕纳米片堆栈部；源漏区，位于纳米片堆栈部的相对的两侧，源漏区与环绕式栅极之间设置有侧墙。发明选用石墨烯作为纳米片环栅晶体管的纳米片沟道可以大幅提高器件的电子传输速度。
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公开(公告)号：CN118571928A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410749518.9
申请日：2024-06-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/06
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和侧墙结构，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向排列的多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方向排列的第一端、中间段和第二端；环绕式栅极环绕中间段；侧墙结构，包括第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于相邻沟道层的第一端之间以及相邻沟道层的第二端之间，第一侧墙包括空腔；第二侧墙位于沟道层堆栈部背离衬底一侧，且沿长度方向位于环绕式栅极两侧，第一侧墙的材质的介电常数高于第二侧墙的材质的介电常数。本申请提供的半导体器件可实现寄生电容与驱动性能的兼顾。
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公开(公告)号：CN117727625A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311785167.9
申请日：2023-12-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。本发明能够降低Fin粗糙度和界面态密度，从而可以提升器件性能。
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