一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；存储单元包括平行分布的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一半导体层形成平行延伸开口朝向第二晶体管的凹槽；第一晶体管的第一栅电极设置在凹槽内靠近凹槽的底壁一侧，字线沿垂直于衬底方向贯穿凹槽；第二晶体管的第二半导体层设置在凹槽内且环绕字线的侧壁，且第二半导体层与第一栅电极连接，字线填充凹槽。本公开实施例提供的方案，第二半导体层环绕字线，字线填充第一半导体层形成的凹槽，可以使用字线同时控制第一晶体管和第二晶体管，减小器件的面积。