-
公开(公告)号：CN118742014A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310314391.3
申请日：2023-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体器件领域，所述半导体器件包括：设置在衬底上的至少一个晶体管和位线；所述晶体管包括沿垂直于所述衬底的方向延伸的半导体柱，所述半导体柱具有侧壁；所述半导体柱的侧壁与所述位线接触并且被所述位线全环绕。本公开实施例的半导体器件的晶体管与位线之间的接触面积相对较大，降低了接触电阻，而且位线的稳定性较好。
-
公开(公告)号：CN118234233A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410642552.6
申请日：2024-05-22
申请人： 北京超弦存储器研究院
摘要： 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；存储单元包括平行分布的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一半导体层形成平行延伸开口朝向第二晶体管的凹槽；第一晶体管的第一栅电极设置在凹槽内靠近凹槽的底壁一侧，字线沿垂直于衬底方向贯穿凹槽；第二晶体管的第二半导体层设置在凹槽内且环绕字线的侧壁，且第二半导体层与第一栅电极连接，字线填充凹槽。本公开实施例提供的方案，第二半导体层环绕字线，字线填充第一半导体层形成的凹槽，可以使用字线同时控制第一晶体管和第二晶体管，减小器件的面积。
-
-
公开(公告)号：CN118317603B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410429431.3
申请日：2024-04-10
申请人： 北京超弦存储器研究院
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开实施例涉及一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括衬底，位于衬底上的至少一个存储单元，存储单元包括沿第一方向分布的写晶体管和读晶体管，第一方向平行于衬底；读晶体管包括沿第一方向延伸的第一栅极，沿第一方向延伸且至少部分环绕第一栅极的侧壁的第一半导体层、至少部分环绕第一半导体层的侧壁的背栅以及位于背栅沿第一方向的两侧的第一电极和第二电极，第一栅极与第一半导体层之间以及背栅与第一半导体层之间均具有栅极绝缘层；写晶体管包括沿第三方向延伸的第二栅极、至少部分环绕第二栅极的侧壁的第二半导体层、位于第二栅极与第二半导体层之间的第二栅极绝缘层。本公开实施例的制造方法容易控制且器件性能增强。
-
公开(公告)号：CN118234233B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410642552.6
申请日：2024-05-22
申请人： 北京超弦存储器研究院
摘要： 一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；存储单元包括平行分布的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一半导体层形成平行延伸开口朝向第二晶体管的凹槽；第一晶体管的第一栅电极设置在凹槽内靠近凹槽的底壁一侧，字线沿垂直于衬底方向贯穿凹槽；第二晶体管的第二半导体层设置在凹槽内且环绕字线的侧壁，且第二半导体层与第一栅电极连接，字线填充凹槽。本公开实施例提供的方案，第二半导体层环绕字线，字线填充第一半导体层形成的凹槽，可以使用字线同时控制第一晶体管和第二晶体管，减小器件的面积。
-
公开(公告)号：CN118317603A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410429431.3
申请日：2024-04-10
申请人： 北京超弦存储器研究院
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开实施例涉及一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括衬底，位于衬底上的至少一个存储单元，存储单元包括沿第一方向分布的写晶体管和读晶体管，第一方向平行于衬底；读晶体管包括沿第一方向延伸的第一栅极，沿第一方向延伸且至少部分环绕第一栅极的侧壁的第一半导体层、至少部分环绕第一半导体层的侧壁的背栅以及位于背栅沿第一方向的两侧的第一电极和第二电极，第一栅极与第一半导体层之间以及背栅与第一半导体层之间均具有栅极绝缘层；写晶体管包括沿第三方向延伸的第二栅极、至少部分环绕第二栅极的侧壁的第二半导体层、位于第二栅极与第二半导体层之间的第二栅极绝缘层。本公开实施例的制造方法容易控制且器件性能增强。
-
公开(公告)号：CN118317601A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410408624.0
申请日：2024-04-07
申请人： 北京超弦存储器研究院
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括：多个存储单元，沿着垂直于衬底方向堆叠且周期性分布在不同层；存储单元包括晶体管，晶体管至少包括半导体层和栅电极，栅电极和半导体层沿着平行于衬底的第一方向延伸，半导体层环绕栅电极；位线，贯穿不同层且沿着垂直于衬底方向延伸；沿着垂直于衬底方向设置的多个晶体管的半导体层与同一条位线连接。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.025 秒)
