一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法

    公开(公告)号:CN111718368A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010567380.2

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本发明提供一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法,通过该方法可以在现有流化床反应器制备有机卤硅烷单体工艺基础上,对硅粉表面进行持续研磨更新,提高硅粉的利用率并提高反应选择性。本发明采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法其中卤代烃和硅粉在铜催化剂和任选的助催化剂的存在下于流化床反应器内反应合成所述有机卤硅烷单体,在所述流化床反应器内加入惰性研磨剂,且使所述惰性研磨剂与所述流化床反应器内的所述硅粉进行流化接触;其中,所述惰性研磨剂的粒度分布范围在40-900微米,并且所述惰性研磨剂的粒度分布呈宽筛分分布,分布跨度大于1.0。

    通过氯化氢的催化氧化制备氯气的方法

    公开(公告)号:CN102602892B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210103886.3

    申请日:2012-04-11

    CPC classification number: C01B7/04 C01B7/0706 C01B7/0737 Y02P20/228

    Abstract: 通过氯化氢的催化氧化制备氯气的工艺,其特征在于,在含有杂质的氯化氢气流中引入一种氧化剂例如臭氧或双氧水等,在超声波的作用下对该气流进行氧化预处理,以使HCl气流中的杂质被氧化,该氧化剂不会导致在反应体系中产生新的杂质。氧化预处理后的氯化氢气流首先经过分离器,分离除去液相和/或固相氧化产物以获得纯化HCl气流,然后纯化HCl气流与含有分子氧的气流充分混合后预热至反应条件,发生催化氧化反应制备氯气。通过氧化预处理和分离,该方法能有效除去氯化氢气流中的含硫的杂质、含卤素的杂质、烃杂质等等,并且不产生额外的杂质。同时,该发明还具有操作简单、方便的优点。

    用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器

    公开(公告)号:CN111569790B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202010438987.0

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器,在有机硅流化床中采用本发明提供的气体分布器,利于消除边壁区的堆积死区,同时还能促进颗粒剪切和碰撞,进而实现颗粒的表面更新,提升流化床内的反应活性。本发明提供的用于有机硅流化床的气体分布器,包括气体分布板和颗粒导流装置,其中,所述气体分布板分为中心区和位于中心区外围的边壁区,所述中心区分布有多个竖直气孔;在所述边壁区安装有所述颗粒导流装置,所述颗粒导流装置用于吸入沉积在所述边壁区的颗粒并将其以水平方向或大致呈水平方向喷射至所述气体分布板上方,且至少喷射至所述中心区的上方。

    一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法

    公开(公告)号:CN111718368B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202010567380.2

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本发明提供一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法,通过该方法可以在现有流化床反应器制备有机卤硅烷单体工艺基础上,对硅粉表面进行持续研磨更新,提高硅粉的利用率并提高反应选择性。本发明采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法其中卤代烃和硅粉在铜催化剂和任选的助催化剂的存在下于流化床反应器内反应合成所述有机卤硅烷单体,在所述流化床反应器内加入惰性研磨剂,且使所述惰性研磨剂与所述流化床反应器内的所述硅粉进行流化接触;其中,所述惰性研磨剂的粒度分布范围在40‑900微米,并且所述惰性研磨剂的粒度分布呈宽筛分分布,分布跨度大于1.0。

    用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器

    公开(公告)号:CN111569790A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010438987.0

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器,在有机硅流化床中采用本发明提供的气体分布器,利于消除边壁区的堆积死区,同时还能促进颗粒剪切和碰撞,进而实现颗粒的表面更新,提升流化床内的反应活性。本发明提供的用于有机硅流化床的气体分布器,包括气体分布板和颗粒导流装置,其中,所述气体分布板分为中心区和位于中心区外围的边壁区,所述中心区分布有多个竖直气孔;在所述边壁区安装有所述颗粒导流装置,所述颗粒导流装置用于吸入沉积在所述边壁区的颗粒并将其以水平方向或大致呈水平方向喷射至所述气体分布板上方,且至少喷射至所述中心区的上方。

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