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公开(公告)号：CN105633161A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510611794.X
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L23/528 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0873 , H01L29/0882 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。
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公开(公告)号：CN105633085B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201510795235.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/94 , H01L29/06
Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。
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公开(公告)号：CN105633085A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510795235.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/94 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/94 , H01L27/0629 , H01L29/1041 , H01L29/7833 , H01L29/7838 , H01L29/7851 , H01L27/10805 , H01L27/10829 , H01L29/0603 , H01L29/945
Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。
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公开(公告)号：CN105590963A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510753020.0
申请日：2015-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/1045 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L29/66545 , H01L29/7851 , H01L29/7816 , H01L27/092 , H01L29/66681
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。
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