公开(公告)号：CN108140580A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680046108.1

申请日：2016-08-05

申请人： 阿哈默德·侯萨姆·塔基

发明人： 阿哈默德·侯萨姆·塔基

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/265 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/78615 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了一种引导设计方法，以基于SOI、SOS或SON技术中的任一种技术，在单支路MOS器件中优化器件性能，从而获得最佳的面积效率布局占位。相同的设计方法确实进一步涵盖替代BOX或蓝宝石的任何类型的绝缘和/或有机衬底。设计方法取决于本发明中还要求保护的新的专有器件结构。它允许实现方法的设计方程。

公开(公告)号：CN106024698A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510844328.6

申请日：2015-11-26

申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

发明人： D·佩蒂特 ,  F·蒙塞尤尔 ,  X·费德斯佩尔 ,  G·比达尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/7838 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/12

摘要： 提供了一种用于形成SOI类型衬底的方法、对应衬底和集成电路。该方法包括从在本身位于载体衬底顶部的掩埋绝缘层顶部上具有半导体膜的绝缘体上硅类型的初始衬底形成绝缘体上硅类型的衬底。进行对半导体膜的厚度的局部修改，以形成在不同区域中具有不同厚度的半导体膜。

公开(公告)号：CN105990401A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510096627.6

申请日：2015-03-04

申请人： 株式会社东芝

发明人： 岩津泰德 ,  猪原正弘

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/0603

摘要： 实施方式提供一种抑制了漏电流的半导体元件。该半导体元件具备：半导体基板；半导体层，设于半导体基板的上方，具有：第一区域，具有第一部分和第二部分，该第二部分在相对于半导体基板和半导体层的层叠方向垂直的第一方向上与第一部分排列；第二区域，设于第一部分的表面，具有第一导电型；第三区域，在第一部分的表面设于第二部分与第二区域之间，与第二部分及第二区域分离，具有第二导电型；第四区域，在第一部分的表面设于第二部分与第三区域之间，与第二部分邻接，具有第一导电型；以及第五区域，设于第四区域的表面，具有第二导电型；第一电极，在半导体层上设于第五区域与第二部分之间；以及第一绝缘膜，设于半导体层与第一电极之间。

公开(公告)号：CN102918645B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180019743.8

申请日：2011-02-17

申请人： 三重富士通半导体股份有限公司

发明人： 斯科特·E·汤普森 ,  达莫代尔·R·图马拉帕利

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838

摘要： 提供了一系列新的结构和方法以减少宽阵列的电子器件和系统的功耗。这些结构和方法中的一些可以大部分通过重新使用块CMOS工艺流程和制造技术来实施，允许半导体工业以及更广泛的电子工业避免昂贵地且有风险地切换到替换技术。如将要讨论的，这些结构和方法中的一些涉及深度耗尽沟道设计(DDC)设计，允许CMOS基器件相比于传统的块CMOS具有减小的σVT，并且能够允许在沟道区域中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT被更精确地设定。DDC设计与传统的块CMOS晶体管相比还具有强体效应，其允许对DDC晶体管中的功耗进行重要的动态控制。存在很多方式来配置DDC以实现不同的益处，并且本文所呈现的附加结构和方法可单独地或者与DDC相结合地使用，以产生附加的益处。

公开(公告)号：CN104681620A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510029558.7

申请日：2015-01-21

申请人： 中山大学

发明人： 刘扬 ,  何亮 ,  杨帆 ,  姚尧 ,  倪毅强

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7838 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层，二次外延生长后形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极欧姆接触金属置于导电GaN衬底背面。本发明器件结构简单，工艺重复性和可靠性高，能有效抑制二次生长界面处或电子阻挡层中杂质的扩散，以优化电子阻挡层和异质结构沟道2DEG的电学特性。

公开(公告)号：CN103000629B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210091264.3

申请日：2012-03-31

申请人： 普缘芯半导体科技(上海)有限公司 ,  普缘芯半导体科技有限公司

发明人： 庞纳斯·乔

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/7838

摘要： 本发明提供一种平面单片式高电压集成电路，包含具有一高电压扩散连接的功率场效应晶体管和/或双极功率晶体管。该高电压集成电路还包含几种类型的高电压、低电流场效应晶体管，例如耗尽型晶体管和/或增强型晶体管，和/或 高电压-低电流双极晶体管。所述高电压-低电流晶体管以不同的结合方式通过共享他们的高电压扩散连接集成于所述高电压-高电流晶体管或功率晶体管结构中，其在减小芯片面积的同时也增强了设计的通用性。隔离扩散结构和掩埋扩散结构提供较高的工作电压和/或增强的耗尽型场效应晶体管关断。高电压-低电流绝缘栅场效应晶体管的体区和/或双极晶体管的基区与接地隔离扩散区或者隔离、或者连接，进一步改善了设计通用性。

公开(公告)号：CN104300963A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410334148.9

申请日：2014-07-15

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： A·艾什拉格伊 ,  A·托马西尼

IPC分类号： H03K19/0944 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7838 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78 ,  H03F1/26

摘要： 本申请涉及用于减少MOSFET闪烁噪声的模块化方法。在一个示例性的实施方案中，本申请提供了一种减少器件中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的闪烁噪声的模块化方法。首先，电路设计者可以选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET。然后，一个或多个表面沟道MOSFET被转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET，以降低闪烁噪声。一个或多个掩模可被应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。该技术可用在运算放大器的输入端，更具体地，轨对轨运算放大器，以及其它模拟和数字电路，例如混频器、环形振荡器、电流反射镜等。

公开(公告)号：CN104282541A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310282657.7

申请日：2013-07-06

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 钟汇才 ,  梁擎擎 ,  朱慧珑 ,  叶甜春

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/7838 ,  H01L2221/1068

摘要： 本发明提供了一种半导体结构的制造方法。在衬底上形成一层金属-石墨烯层，形成伪栅、侧墙、源/漏区、层间介质层，去除伪栅以及伪栅下面的金属-石墨烯层，形成栅介质层和栅电极，最后刻蚀接触孔，填充接触孔，并进行平坦化。相应地，本发明还提供了一种半导体结构，利于减小源/漏区的接触电阻。

公开(公告)号：CN102473726A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003332.X

申请日：2011-05-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 田中康太郎 ,  堀隆 ,  安达和广

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7838 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7828

摘要： 本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc-同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。

公开(公告)号：CN102473645A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035030.6

申请日：2010-08-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 桥本浩一 ,  安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  风间俊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H01L29/7828 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838 ,  H02M7/5387 ,  Y02B70/1483

摘要： 本发明提供一种包括MISFET的半导体元件(100)，特征在于具有经过了沟道外延层(50)的逆向的二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区(30)、第1导电型的源极区(40)以及漏极区、与体区接触地形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)以及漏极电极(70)、栅极绝缘膜(60)、和栅极电极(65)。在施加给MISFET的栅极电极的电压小于阈值电压时，作为从源极电极(45)经过沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥功能。该二极管的接通电压的绝对值小于由所述体区和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的接通电压的绝对值。