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公开(公告)号：CN106067449A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610244292.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/367 , H01L24/14 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1432 , H01L23/373
Abstract: 提供了半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件。该半导体封装件包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。
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公开(公告)号：CN103838678A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310616705.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F5/12 , G06F2205/062 , G06F2205/126
Abstract: 提供片上系统，包括：数据生产者；FIFO缓冲器，在与写指针相对应的存储区域上存储从数据生产者传输的数据；第一消费者，弹出与FIFO缓冲器的第一读指针相对应的存储区域的数据；以及第二消费者，弹出与FIFO缓冲器的第二读指针相对应的存储区域的数据。FIFO缓冲器根据写指针与第一读指针之间的差值向第二消费者请求弹出操作，或者在与第二读指针相对应的存储区域上覆写从数据生产者提供的数据。
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公开(公告)号：CN103838678B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201310616705.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供片上系统，包括：数据生产者；FIFO缓冲器，在与写指针相对应的存储区域上存储从数据生产者传输的数据；第一消费者，弹出与FIFO缓冲器的第一读指针相对应的存储区域的数据；以及第二消费者，弹出与FIFO缓冲器的第二读指针相对应的存储区域的数据。FIFO缓冲器根据写指针与第一读指针之间的差值向第二消费者请求弹出操作，或者在与第二读指针相对应的存储区域上覆写从数据生产者提供的数据。
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公开(公告)号：CN103680403B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201310423226.8
申请日：2013-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/20
CPC classification number: G09G3/2003 , G06F1/3259 , G09G1/005 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2310/0213 , G09G2330/021 , G09G2340/06 , G09G2360/16
Abstract: 提供一种控制有机发光二极管显示器的操作的方法和装置。在一个示例实施例中，一种操作用于控制有机发光二极管（OLED）显示器的操作的图像数据处理电路的方法包括：将至少一个第一RGB值变换为至少一个明度值和至少一个色度值。所述方法还包括：基于至少一个第一控制值调整所述至少一个明度值和所述至少一个色度值。所述方法还包括：基于调整后的所述至少一个明度值和调整后的所述至少一个色度值，产生至少一个第二RGB值。所述方法还包括：将所述第二RGB值输出到OLED显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590963A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510753020.0
申请日：2015-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/1045 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L29/66545 , H01L29/7851 , H01L29/7816 , H01L27/092 , H01L29/66681
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN103680403A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310423226.8
申请日：2013-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/2003 , G06F1/3259 , G09G1/005 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2310/0213 , G09G2330/021 , G09G2340/06 , G09G2360/16
Abstract: 提供一种控制有机发光二极管显示器的操作的方法和装置。在一个示例实施例中，一种操作用于控制有机发光二极管（OLED）显示器的操作的图像数据处理电路的方法包括：将至少一个第一RGB值变换为至少一个明度值和至少一个色度值。所述方法还包括：基于至少一个第一控制值调整所述至少一个明度值和所述至少一个色度值。所述方法还包括：基于调整后的所述至少一个明度值和调整后的所述至少一个色度值，产生至少一个第二RGB值。所述方法还包括：将所述第二RGB值输出到OLED显示器。
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公开(公告)号：CN104050131B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410093832.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
CPC classification number: G06F9/3877 , G06F15/7807
Abstract: 片上系统(SoC)包括从知识产权(IP)模块、主IP模块和更新控制单元。从IP模块被配置为基于在第一存储单元中存储的第一控制信息对第一数据执行第一处理。主IP模块被配置为响应于接收到通过对第一数据执行第一处理所获得的第一处理结果，对第二数据执行第二处理。执行所述第二处理是基于在第二存储单元中存储的第二控制信息的。更新控制单元被配置为响应于执行第一处理和执行第二处理，确定第一控制信息的更新时间或第二控制信息的更新时间。
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公开(公告)号：CN104050131A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410093832.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
CPC classification number: G06F9/3877 , G06F15/7807
Abstract: 片上系统(SoC)包括从知识产权(IP)模块、主IP模块和更新控制单元。从IP模块被配置为基于在第一存储单元中存储的第一控制信息对第一数据执行第一处理。主IP模块被配置为响应于接收到通过对第一数据执行第一处理所获得的第一处理结果，对第二数据执行第二处理。执行所述第二处理是基于在第二存储单元中存储的第二控制信息的。更新控制单元被配置为响应于执行第一处理和执行第二处理，确定第一控制信息的更新时间或第二控制信息的更新时间。
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