公开(公告)号：CN117637681A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311023009.X

申请日：2023-08-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋旻俊 ,  李钟旻 ,  慎重垣 ,  李纳拉 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H10B12/00 ,  H10B80/00

摘要： 一种半导体装置可包括衬底上的下金属布线、下金属布线上的第一上层间绝缘层、第一上层间绝缘层中的包括第一上穿通件的第一上布线和第一上层间绝缘层上的第一上金属图案。该半导体装置还可包括第一上层间绝缘层上的第二上层间绝缘层、第二上层间绝缘层中的包括最上面的穿通件的最上面的布线、第二上层间绝缘层上的最上面的金属图案、以及第二上层间绝缘层上的用于供应氢的氧化物层。下金属布线可按照多层堆叠。用于供应氢的氧化物层可覆盖最上面的布线。最上面的穿通件的厚度可小于最上面的金属图案的厚度的40％。

公开(公告)号：CN116107798A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211393645.7

申请日：2022-11-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林秀熏 ,  李起准 ,  李明奎 ,  权银喆 ,  金浩渊 ,  李钟旻

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/42

摘要： 一种存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎和错误管理电路。ECC引擎被配置为：在读取操作期间，对所读取的码字集执行ECC解码，以生成与在所读取的码字集中所包括的用户数据集中的可纠正错误相关联的第一校验子和第二校验子；基于第一校验子和第二校验子来纠正可纠正错误；以及将第二校验子提供给错误管理电路。错误管理电路被配置为：累积与多个可纠正错误相关联的并且通过多个读取操作获得的第二校验子作为多个第二校验子，存储多个第二校验子，将多个第二校验子与错误模式集进行比较，以及基于比较来预测不可纠正错误的发生。

公开(公告)号：CN115968204A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211212279.0

申请日：2022-09-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙龙勋 ,  金俊成 ,  成锡江 ,  李吉成 ,  李钟旻

IPC分类号： H10B43/30 ,  H10B43/27

摘要： 一种半导体存储器装置可包括：单元衬底，其包括单元阵列区和延伸区；单元衬底上的第一模制结构；第一模制结构上的第二模制结构；穿过单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构的沟道结构；以及穿过延伸区上的第一模制结构和第二模制结构的单元接触结构。第一模制结构和第二模制结构分别包括按次序堆叠在单元阵列区上并且在延伸区上按照台阶方式堆叠的第一栅电极和第二栅电极。单元接触结构包括连接至第一栅电极之一的下导电图案、连接至第二栅电极之一的上导电图案和将下导电图案与上导电图案分离的绝缘图案。

公开(公告)号：CN103855166B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201310646374.6

申请日：2013-12-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 沈载煌 ,  辛镇铉 ,  李钟旻

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/764 ,  H01L29/42324

摘要： 提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件可以包括：半导体基板，具有第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽限定第一区域中的有源区域，该第二沟槽提供在第一区域周围的第二区域中；栅极电极，提供在第一区域中以跨过有源区域；电荷存储图案，设置在栅极电极和有源区域之间；阻挡绝缘层，提供在栅极电极和电荷存储图案之间并在第一沟槽之上延伸以在第一沟槽中限定第一空气间隙；以及绝缘图案，提供为与第二沟槽的底表面间隔开以在第二沟槽中限定第二空气间隙。

公开(公告)号：CN113725224A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110143111.8

申请日：2021-02-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申乂苑 ,  尹在璇 ,  李昇埈 ,  李钟旻

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

摘要： 一种半导体器件包括设置在衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上交替堆叠的多个绝缘层和多个电极层。多个沟道结构在第三方向上延伸穿过堆叠结构。第一布线组包括设置在堆叠结构上的多个第一水平布线，所述多个第一水平布线在第一方向上排列并在第二方向上延伸。第二布线组包括设置在堆叠结构上的多个第二水平布线，所述多个第二水平布线在第一方向上排列并在第二方向上延伸。所述多个第一水平布线和所述多个第二水平布线中的每个连接到所述多个沟道结构中的对应一个。第一线识别部设置在第一布线组与第二布线组之间。

公开(公告)号：CN111490052A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010142068.9

申请日：2016-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

摘要： 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN106847823B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

摘要： 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN101988989B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010163596.9

申请日：2010-04-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李钟旻

IPC分类号： G02B26/12 ,  G03G15/00

CPC分类号： B41J2/471 ,  G03G15/043

摘要： 本发明公开了光扫描单元和包括该光扫描单元的电子照相成像装置。该光扫描单元可以包括：光源，发射光束；束偏转器，将从光源发射的光束沿主扫描方向偏转和扫描；扫描光学系统，将由束偏转器偏转和扫描的光束的第一部分在扫描表面上形成图像；以及束检测传感器，接收由束偏转器偏转和扫描的光束的第二部分以产生同步信号。束检测传感器可以包括用于接收光束的第二部分的光接收表面和至少两个输出端子，该至少两个输出端子布置在光接收表面的一区域的外侧，入射的光束的第二部分被限制在该区域内。

公开(公告)号：CN106847823A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

摘要： 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN102789324A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210012126.1

申请日：2012-01-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李钟旻 ,  李哲焕 ,  文基态

IPC分类号： G06F3/033 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/03545 ,  G06F3/044 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/04883

摘要： 本发明提供了用于支持数字化系统中的数字手写输入笔的擦除功能的设备和方法。该方法包括，如果识别数字手写输入笔的擦除部在接收装置上进行接触，则确定擦除部在接收装置的表面上进行接触的压力，并根据所确定的压力，改变发送至接收装置的频率。