有机发光二极管显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101944537A

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN201010222030.9

    申请日:2010-07-05

    CPC classification number: H01L51/5265 H01L27/3244 H01L27/3248 H01L2251/558

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置和制造所述OLED显示装置的方法。所述OLED显示装置包括含发光区和非发光区的基板,布置在所述基板上的缓冲层,布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层,布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层,布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极,布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极,布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层,布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极,布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层,布置在所述第一电极上的有机层,和布置在所述基板整个表面上的第二电极。

    有机发光二极管
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101901878A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010193908.0

    申请日:2010-06-01

    CPC classification number: H01L51/5218 H01L2251/308

    Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED),所述有机发光二极管包括基底、第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的有机层。第一电极包括铝(Al)基反射膜和与Al基反射膜接触的透明导电膜。Al基反射膜包括铝、第一元素和镍(Ni)。在此结构中,不会在Al基反射膜5a和透明导电膜5b之间发生因电极之间的电势差而产生的电偶腐蚀。因而,防止OLED质量的劣化。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN100511607C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200610058671.9

    申请日:2006-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)和制造该TFT的方法,其中,简化了制造工艺并且减小了对栅极绝缘层的损坏。制造该TFT的方法包括:在基底上形成至少一个缓冲层;在缓冲层上形成第一半导体层,通过在第一半导体层上沉积用掺杂剂掺杂的半导体来形成第二半导体层;将第二半导体层图案化,形成源区和漏区;在源区和漏区上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成栅极。

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