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公开(公告)号：CN102194886A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110006612.8
申请日：2011-01-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78645
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括形成基板上的半导体层、形成在包括所述半导体层的基板上的栅极绝缘层、形成在所述半导体层上方的栅极绝缘层上的栅电极，连接到所述半导体层的源电极和漏电极，以及形成在与栅电极交叠的半导体层上的3.5至4.5个突起。可以通过调整突起的数目以最小化泄漏电流和缺陷来防止薄膜晶体管故障和显示设备的图像质量变差。
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公开(公告)号：CN101308866B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810110246.9
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明公开一种平板显示器，包括多个像素，每个所述像素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括一晶体管，其中所述R、G和B单位像素之中至少一个单位像素的晶体管包括由具有不同膜性能的硅层制成的沟道区。本发明还涉及制造平板显示器的方法。
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公开(公告)号：CN100517730C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610110090.5
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN100521091C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610121897.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/00 , B23K26/073
CPC classification number: H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100501547C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474627C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200310109779.2
申请日：2003-12-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。
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公开(公告)号：CN1541038B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200410032887.9
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/3211 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开一平板显示器，该平板显示器能够通过使所述R、G和B单位像素的晶体管的沟道区有不同的电流迁移率来提高白平衡。所述平板显示器包括多个象素，每个所述象素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括至少一晶体管。所述R、G和B单位像素中至少两个单位像素的晶体管的沟道层彼此具有不同电流迁移率且由多晶硅膜制成。
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公开(公告)号：CN102096223A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010287292.3
申请日：2010-09-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/3265 , G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开一种显示装置及其制造方法。在一个实施例中，所述显示装置包括：i)形成在第一基板上的第一绝缘层；ii)形成在所述第一绝缘层上的下电极；iii)形成为围绕所述下电极的所述顶部和所述侧部的介电层，其中所述介电层并不覆盖所述显示装置的像素区；以及iv)形成在所述介电层上的上电极。
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公开(公告)号：CN100576549C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610121900.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置，包括绿色、红色和蓝色像素区，以及用于驱动每个像素并具有相同的有源沟道长度和宽度的驱动薄膜晶体管，其中在每个像素的相同的有源沟道长度和宽度内的多晶硅主晶界数彼此不同，使得可以为相同的驱动电压调整出白平衡。
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