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公开(公告)号：CN102683490A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140490.6
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703983A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210196925.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是：将满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.8)的纯度为99.99999%的Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，依次放入二次封套和一次封套，抽真空至2.0×10-4Pa，在一次封套处封结石英坩埚。将封好的坩埚放入合料炉，缓慢升温至500℃，经一定时间保温后，缓慢升温至物料熔点合料保温。缓慢降温至室温后，合料完毕。然后取出坩埚，在二次封套处，对坩埚进行二次封管。切去尾部一次封套部分，将装有CdZnTe物料的坩埚放入晶体生长炉中进行单晶生长。利用双封套通过二次封管的方法实现了对晶体生长时自由空间体积的压缩，在后续的单晶生长过程中，能有效抑制晶体中Cd空位的形成，从而提高了晶体的性能。
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公开(公告)号：CN102230213A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102220644B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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公开(公告)号：CN102230213B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102220644A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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