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公开(公告)号：CN113533898A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110833451.3
申请日：2021-07-23
摘要： 一种批量光电耦合器老炼电路，包括输入端电源V1、输出端电源V2、输入端恒流模块、输出端恒流模块、输出端采样模块、被老炼光耦、限流保护模块、单向导通模块、老练显示模块、故障警示模块。输出端采样模块的一端与V2正极连接，另一端通过老炼显示模块连接到光耦输出单元的正极端，光耦输出单元的负极端与限流保护模块的高电平输出端连接；V1正极通过输入端恒流模块分别连接到限流保护模块和光耦输入单元的正极端；光耦输入单元的负极端通过单向导通模块连接光耦输出单元的负极端；故障显示模块并联在限流保护模块的高电平输出端和低电平输出端。解决了现有光耦老炼电路老炼功率不稳定、批量老炼串扰的问题。适用于批量性光耦老炼。
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公开(公告)号：CN106405360A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610379972.5
申请日：2016-06-01
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法，包括如下步骤：①焊接：将导电引线分别焊接在相配合的半导体元器件螺母上；②配对：将相配合且焊接好导电引线的半导体元器件螺母和半导体元器件螺栓以螺纹配对上紧；③安装：将螺纹配对好的半导体元器件安装在弹片夹具型老化测试板的弹片夹具上，安装时将导电引线夹入至弹片夹具中；④测试。本发明通过外接引线，以外接的引线夹入弹片夹具中进行老化测试的方法，能有效降低老化测试板生产厂家的成本，并且有效提高带螺栓外形半导体产品的老化测试良品率，降低因老化测试本身带来的不良影响，从而最终在很大程度上降低老化测试方面的社会整体成本。
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公开(公告)号：CN104795335A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510193603.2
申请日：2015-04-22
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。
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公开(公告)号：CN111834514A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010719592.8
申请日：2020-07-23
摘要： 本发明涉及一种超大半强度角的支架式红外发射管及其制造方法。所述红外发射管的制造流程为：光学仿真→排框架→扩晶→固晶→前固化→焊线→备胶→框架粘胶→灌胶→插框架→压框架→烘烤→离模→后固化→半切→条测→全切。所述固晶为：将芯片固定在产品支架灯杯处，起到相应的电气连接作用；并通过增加银浆量，来减小芯片与胶体表面之间的距离，减小胶体聚焦作用对半强度角的影响；所述焊线为：将金线两端分别打在芯片电极和框架上，使得芯片电极和框架之间形成正确的电性连接，焊线时严格控制线弧高度。本发明通过对其制造工艺进行设计、改进，实现了超大半强度角的支架式红外发射管的生产；制得的红外发射管，半强度角≥110°，辐射强度≥1.5mW/sr。
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公开(公告)号：CN111725194A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010615481.2
申请日：2020-06-30
摘要： 本发明提供的一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆、安装座；所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆上，下端固定在安装座上，红外发射管包括第一电极、第二电极、芯片，第一电极和第二电极呈一定间距固定在电极连接杆和安装座上，所述芯片安装在第二电极顶部，所述芯片和第一电极之间通过导线连接。本发明通过支架对发光芯片的支撑，使红外发射管半强度角扩大。
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公开(公告)号：CN111725143A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010615470.4
申请日：2020-06-30
摘要： 本发明提供的一种三通道DIP12金属陶瓷光电耦合器外壳，包括陶瓷底座、管芯安装座、引脚；所述管芯安装座在陶瓷底座内等间距安装有三组，所述引脚为若干且其一端固定在陶瓷底座下端且伸入陶瓷底座内分别与管芯安装座连接，所述陶瓷底座的顶部通过平板封闭,陶瓷底座内还安装有陶瓷内盖辅助固定管芯安装座。本发明班发明具有三个相同的通道，每个通道连接4个引脚，通道之间具有隔层，避免信号干扰。
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公开(公告)号：CN113533898B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202110833451.3
申请日：2021-07-23
摘要： 一种批量光电耦合器老炼电路，包括输入端电源V1、输出端电源V2、输入端恒流模块、输出端恒流模块、输出端采样模块、被老炼光耦、限流保护模块、单向导通模块、老炼显示模块、故障警示模块。输出端采样模块的一端与V2正极连接，另一端通过老炼显示模块连接到光耦输出单元的正极端，光耦输出单元的负极端与限流保护模块的高电平输出端连接；V1正极通过输入端恒流模块分别连接到限流保护模块和光耦输入单元的正极端；光耦输入单元的负极端通过单向导通模块连接光耦输出单元的负极端；故障显示模块并联在限流保护模块的高电平输出端和低电平输出端。解决了现有光耦老炼电路老炼功率不稳定、批量老炼串扰的问题。适用于批量性光耦老炼。
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公开(公告)号：CN104795335B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510193603.2
申请日：2015-04-22
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。
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公开(公告)号：CN106405360B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610379972.5
申请日：2016-06-01
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法，包括如下步骤：①焊接：将导电引线分别焊接在相配合的半导体元器件螺母上；②配对：将相配合且焊接好导电引线的半导体元器件螺母和半导体元器件螺栓以螺纹配对上紧；③安装：将螺纹配对好的半导体元器件安装在弹片夹具型老化测试板的弹片夹具上，安装时将导电引线夹入至弹片夹具中；④测试。本发明通过外接引线，以外接的引线夹入弹片夹具中进行老化测试的方法，能有效降低老化测试板生产厂家的成本，并且有效提高带螺栓外形半导体产品的老化测试良品率，降低因老化测试本身带来的不良影响，从而最终在很大程度上降低老化测试方面的社会整体成本。
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公开(公告)号：CN104659111A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510072182.8
申请日：2015-02-11
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/01
摘要： 本发明公开了一种微型玻璃钝化封装整流二极管，包括管芯、电极、引线和玻璃封装外壳。所述管芯为单晶硅制成的PN结，其P面和N面分别依次与电极和引线连接。所述管芯与电极通过金属薄膜层熔焊键合在一起，所述电极和引线通过铜焊片熔融焊接在一起。将玻璃钝化封装的整流二极管的外部直径做到1个毫米以下，实现了整流二极管的微型化；同时，玻璃钝化封装与塑料封装相比，二极管的高温反向漏电流更小、工作温度范围更宽、可靠性更高。
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