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公开(公告)号：CN1996593B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610023162.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。
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公开(公告)号：CN101126777A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200610030224.2
申请日：2006-08-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L22/34
Abstract: 本发明公开了一种测量硅化金属阻止区纯电阻及界面电阻的方法，将一个具有4个接线端口的开尔文电阻器结构，作为SAB电阻测试图形结构，多次测量不同版图宽度W的电阻器后得到相应的函数曲线图，根据相应的W值得到对应的纯电阻Rpure阻值和界面电阻Rinterface阻值。
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公开(公告)号：CN101038911A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610024666.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92
Abstract: 本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101105518B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610028787.8
申请日：2006-07-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
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公开(公告)号：CN100538383C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610024311.7
申请日：2006-03-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压-漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468731C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610024666.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92
Abstract: 本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101089642A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200610027696.2
申请日：2006-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种加速热载流子注入测试方法，包括以下步骤：a分别测量不同温度下的在不同偏置电压下漏极电流、衬底电流相对时间的曲线；b设定失效条件，将达到该失效条件的时间称为失效时间；c将失效时间与漏极饱和电流之积和衬底电流与漏极饱和电流之商在坐标上绘出得出它们相互之间的关系式；d.将失效时间与温度在坐标上绘出得出它们之间相互关系；e.在低温下进行失效试验，根据失效时间与温度的关系推出其他温度下的失效时间。本发明能够加快测量时间迅速地获得预测寿命结果。
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公开(公告)号：CN101089642B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200610027696.2
申请日：2006-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种加速热载流子注入测试方法，包括以下步骤：a.分别测量不同温度下的在不同偏置电压下漏极电流、衬底电流相对时间的曲线；b.设定失效条件，将达到该失效条件的时间称为失效时间；c.将失效时间与漏极饱和电流之积和衬底电流与漏极饱和电流之商在坐标上绘出得出它们相互之间的关系式；d.将失效时间与温度在坐标上绘出得出它们之间相互关系；e.在低温下进行失效试验，根据失效时间与温度的关系推出其他温度下的失效时间。本发明能够加快测量时间迅速地获得预测寿命结果。
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公开(公告)号：CN102110671A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910247495.7
申请日：2009-12-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L27/027
Abstract: 一种静电放电保护装置，包括：第一主保护晶体管和第二主保护晶体管，以及包含第一电极和第二电极的电阻，其中，第一主保护晶体管的漏区、第二主保护晶体管的漏区、电阻的第一电极与静电放电保护装置的输入端电连接；其特征在于，还包括：辅助保护晶体管，电阻的第二电极与辅助保护晶体管的漏区以及被保护电路的输入端电连接，辅助保护晶体管包括多个晶体管器件；辅助保护晶体管的衬底上还形成有第一多晶硅区，所述第一多晶硅区与衬底间通过介电层隔离；所述多个晶体管器件的每一个栅区与第一多晶硅区相连接，至少部分第一多晶硅区位于衬底中的有源区内；导电类型相同的多个晶体管器件的每一个栅区与对应的第一多晶硅区均被偏置到相同的电位。
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公开(公告)号：CN101090111A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200610027589.X
申请日：2006-06-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/1041 , H01L29/105 , H01L29/402 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/7833
Abstract: 一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合到第一系统并包括第一栅极、位于第一栅极和第一衬底之间的第一电介质层、第一源极和第一漏极。第一系统包括或耦合到逻辑核心晶体管，且该逻辑核心晶体管包括第二栅极、位于第二栅极和第二衬底之间的第二电介质层、第二源极和第二漏极。第一晶体管从多个晶体管中选择，且多个晶体管包括多个栅极区、多个源极区和多个漏极区。多个栅极区中的每一个与多晶硅区相交。
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