公开(公告)号：CN103858210B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280047186.5

申请日：2012-09-25

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 田边将人 ,  福上典仁 ,  坂田阳 ,  古沟透 ,  原口崇

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。

公开(公告)号：CN103748660B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280041142.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 福上典仁 ,  坂田阳 ,  松井一晃 ,  渡边原太

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/38

Abstract: 本发明提供一种具有遮光性能高的遮光框的反射型掩模及其制造方法。在具有对多层反射层进行刻入而成的遮光框的反射型掩模中，通过仅对多层反射层进行侧蚀、或者仅将多层反射层加工成倒锥形形状，能够抑制EUV光（极端紫外线光）在遮光框边缘附近的反射，能够提供具有高遮光性的反射型掩模，能够形成高精度的转印图案。

公开(公告)号：CN109983580A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780070909.6

申请日：2017-12-04

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 山本和人 ,  坂田阳

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

Abstract: 提供一种固体拍摄元件，其能够使得从光电变换元件透射的红色光高效地朝向光电变换元件反射，具有优异的红色光灵敏度，且形成元件时容易对基板进行处理。固体拍摄元件以如下方式构成，即，多个光电变换元件21在半导体层(20)内排列成二维状。而且，半导体层(20)形成于支撑基板(10)上，该支撑基板(10)在表面形成有层间绝缘层(22)以及多个光反射构造(14)。光反射构造(14)具有：光透射层(11)；以及反射金属(12)，其由将上述光透射层(11)的表面覆盖的曲面形状构成，并且光反射构造(14)分别配置于各光电变换元件(21)的背面侧。层间绝缘层(22)位于相邻的光反射构造(14)之间。

公开(公告)号：CN103858210A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280047186.5

申请日：2012-09-25

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 田边将人 ,  福上典仁 ,  坂田阳 ,  古沟透 ,  原口崇

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。另外，多层反射层在遮光框区域通过熔解而扩散混合。

公开(公告)号：CN103748660A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280041142.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 福上典仁 ,  坂田阳 ,  松井一晃 ,  渡边原太

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/38

Abstract: 本发明提供一种具有遮光性能高的遮光框的反射型掩模及其制造方法。在具有对多层反射层进行刻入而成的遮光框的反射型掩模中，通过仅对多层反射层进行侧蚀、或者仅将多层反射层加工成倒锥形形状，能够抑制EUV光（极端紫外线光）在遮光框边缘附近的反射，能够提供具有高遮光性的反射型掩模，能够形成高精度的转印图案。

公开(公告)号：CN103858209B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201280047151.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小寺丰 ,  坂田阳 ,  今真人

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含：SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。

公开(公告)号：CN103858209A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280047151.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小寺丰 ,  坂田阳 ,  今真人

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含：SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。