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公开(公告)号：CN117199169A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210603453.8
申请日：2022-05-30
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本公开提出一种铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置，涉及电池技术领域。包括：对铜栅线硅异质结电池进行切片，以获取多个电池分片；将由多个电池分片堆叠形成的电池垛，转移至化学气相沉积设备中；在预设时间段内，向化学气相沉积设备内通入氢气，其中，第一氢气流量为5000‑25000sccm；在电池垛中每个电池分片的切片断面处沉积本征非晶硅薄膜，以获取边缘钝化的电池分片，其中，本征非晶硅薄膜的沉积温度为80‑120℃。由此，可以在低温下对铜栅线硅异质结电池分片的切片断面进行钝化处理，保证铜栅线硅异质结电池分片及铜电极在不受影响的前提下，降低铜栅线硅异质结电池分片的切片断面的载流子复合速率，改善钝化效果，提高了切片铜栅线硅异质结电池的效率。
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公开(公告)号：CN114242805A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111432647.8
申请日：2021-11-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN114005890A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111226933.9
申请日：2021-10-21
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形，相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连，提高组件良率和可靠性，可最大限度地提高焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
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公开(公告)号：CN110518095A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910807141.7
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN110137302A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810130401.7
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法，包括：(1)将晶硅衬底浸入溶解有臭氧的清洗液中进行预清洗；(2)将步骤(1)所得晶硅衬底浸入碱性溶液中，以便在晶硅衬底的表面形成特定形貌的绒面结构；(3)将步骤(2)所得晶硅衬底浸入含有NH4OH和H2O2的去离子水中进行清洗；(4)将步骤(3)所得晶硅衬底浸入HF、HCl和H2O2的混合液中进行清洗，以便得到具有绒面结构的清洁晶硅衬底。该方法采用臭氧有效清除晶硅衬底表面的有机物等杂质，为后续制绒工序提供更为均匀、可控的洁净晶硅衬底表面，该方法不仅提高了晶硅衬底的清洗和制绒效果，而且以臭氧代替传统方法中的高浓度H2SO4等强酸试剂，便于废液的回收利用，减少了对环境的影响。
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公开(公告)号：CN113943920B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN115274767B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210347717.8
申请日：2022-04-01
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H10K39/15 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0725 , H10K30/40
摘要： 本发明公开了一种叠层太阳能电池，包括第一电极层、第二电极层和透明电池，所述第一电极层和所述第二电极层为可透光材质，所述第一电极层和所述第二电极层平行间隔布置；所述透明电池连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间且可透光，所述透明电池包括多个子电池和至少一个隧穿层，多个所述子电池和至少一个隧穿层一一交替布置，相邻两个所述子电池之间通过对应的所述隧穿层相连，所述子电池适于吸收阳光并将阳光中的部分太阳能转化为电能，多个所述子电池的带隙不同以适于吸收不同波长的阳光。本发明实施例的叠层太阳能电池具有透光性好、发电效率高的优点。
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公开(公告)号：CN114005899A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111237278.7
申请日：2021-10-21
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
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公开(公告)号：CN113035995A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911350645.7
申请日：2019-12-24
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜；在第一特定环境中，在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜，第一特定环境中包括水汽。由此，非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子，氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅，进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能，提高界面之间的载流子的输运。
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公开(公告)号：CN110634990A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910807485.8
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
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