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公开(公告)号：CN101681913B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN101371313B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780003089.5
申请日：2007-01-09
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
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公开(公告)号：CN101681913A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN101371313A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003089.5
申请日：2007-01-09
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
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公开(公告)号：CN104568865B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410539344.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106537906A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038421.6
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
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公开(公告)号：CN104586355A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN100380524C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410008008.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , B82Y10/00 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、...，但它们之中的90%以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、...的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、...。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、...中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。
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公开(公告)号：CN1741194A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510087650.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置包括：存储单元选择电路(17)，以行、列或存储单元为单位从存储单元阵列(15)中选择存储单元；读出电压施加电路(22a)，对由存储单元选择电路(17)选出的选择存储单元的可变电阻元件施加读出电压；读出电路(23)，对选择存储单元内的读出对象存储单元检测与该可变电阻元件的电阻值对应流过的读出电流的大小，再读出存储在读出对象存储单元中的信息；读出电压施加电路(22a)将和读出电压反极性的伪读出电压施加给选择存储单元的可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN104586355B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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