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公开(公告)号：CN101558188B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN102292631A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980155362.5
申请日：2009-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/77 , G01N31/00 , G01N31/22 , G01N33/497
CPC classification number: G01N21/77 , G01N21/7703 , G01N31/22 , G01N33/497 , G01N2021/7773 , G01N2021/7783
Abstract: 本发明的氮氧化物检测元件在基体(12a)的表面形成有检测膜(11)，该检测膜(11)由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成，藉此，在大气中也能够高精度、高灵敏度地测定氮氧化物，且卟啉钴不会受到作为反应阻碍物质的O2或CO的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1659936A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812991.4
申请日：2003-04-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , C25D5/10 , C25D7/0614 , H05K1/0393 , Y10S428/901 , Y10T428/1291 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及可以生产出具有较强的密合性，使用腐蚀方法可得到高精度图形化的挠性印刷电路基板及其制造方法。挠性印刷电路。在本发明中，挠性印刷电路基板的至少一面形成铜或者以铜为主成分的合金构成的铜薄膜，进而在铜薄膜上通过电解镀层法形成铜挠性印刷电路上述铜薄膜至少在其表面侧形成含有结晶结构的双层结构，该结晶是结晶晶格面指数(200)/(111)下的X线的相对强度比是0.1以下的结构。
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公开(公告)号：CN101558188A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN101283480A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037870.X
申请日：2006-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种相控阵天线，实现在具有使用介电常数根据施加电场而变化的可变介电常数电介质来构成的可变移相器的相控阵天线中，在构成为将可变移相器分成右侧、左侧倾斜用的组并独立地控制移相量的情况下，不需要成为不匹配的主要原因的直流阻断元件，在波束倾斜时波束形状的畸变少。具备具有将至少接地导体层(117)、绝缘体层(118)、主导体层(119)、可变介电常数电介质层(120)、副导体层(121)按照该顺序层叠而形成的层叠构造的供电移相部(130)，在供电移相部中，在与主导体层上的线路面式重叠的区域，在副导体层上设置具有线路的传播特性可变线路(105)。通过对主导体层和副导体层间施加电压，使传播特性可变线路部分的可变介电常数电介质的介电常数变化来控制传输特性。由此，不需要串联插入供电线路的直流阻断元件。
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公开(公告)号：CN100340140C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03812991.4
申请日：2003-04-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , C25D5/10 , C25D7/0614 , H05K1/0393 , Y10S428/901 , Y10T428/1291 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及可以生产出具有较强的密合性，使用腐蚀方法可得到高精度图形化的挠性印刷电路基板及其制造方法。挠性印刷电路。在本发明中，挠性印刷电路基板的至少一面形成铜或者以铜为主成分的合金构成的铜薄膜，进而在铜薄膜上通过电解镀层法形成铜挠性印刷电路上述铜薄膜至少在其表面侧形成含有结晶结构的双层结构，该结晶是结晶晶格面指数(200)/(111)下的X线的相对强度比是0.1以下的结构。
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公开(公告)号：CN1318203A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN00801476.0
申请日：2000-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025
Abstract: 本发明的冷电子发射器件，由采用对在基板(1)上边沿着同一晶轴生长了柱状晶粒的柱状多晶膜(2)施行刻蚀的办法形成的发射器构成。若采用这样的冷电子发射器件，则即便是在已形成了多个发射器的情况下，也可以抑制起因于发射器形状变动的电子发射特性的波动，因而可以得到在大面积基板上边具有均一发射特性的冷电子发射器件。
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