公开(公告)号：CN105659369B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN113412511A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080013244.7

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  小林英智 ,  肉户英明 ,  木村清贵 ,  中川贵史 ,  根井孝征 ,  林健太郎

IPC: G09G5/00 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  H01L27/32 ,  H04N5/64 ,  G02B27/01 ,  H01L51/50

Abstract: 目的是提供一种能够准确地识别使用者的脸的特征的电子设备。一种眼镜式电子设备包括第一光学部件、第二光学部件、镜架、摄像装置、特征抽取单元以及感情推断单元，镜架与第一光学部件的侧面及第二光学部件的侧面接触，摄像装置与镜架接触，摄像装置具有检测出使用者的脸的一部分的功能，特征抽取单元具有从所检测出的脸的一部分抽取出使用者的脸的特征的功能，并且感情推断单元具有从所抽取的特征推断出关于使用者的信息的功能。

公开(公告)号：CN101350331B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。

公开(公告)号：CN112119446A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980031507.4

申请日：2019-05-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  小林英智 ,  宍户英明 ,  木村清贵 ,  中川贵史 ,  根井孝征

IPC: G09G3/20 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/36 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。提供一种小型显示装置。一种层叠有第一层以及第二层的显示装置。第一层包括栅极驱动电路以及源极驱动电路，第二层包括显示部。栅极驱动电路及源极驱动电路以具有与显示部重叠的区域的方式设置。另外，栅极驱动电路和源极驱动电路不被明确地分开且具有彼此重叠的区域。栅极驱动电路及源极驱动电路都可以设置五个以上。

公开(公告)号：CN112005350A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027125.4

申请日：2019-04-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根井孝征 ,  村川努 ,  竹内敏彦 ,  菅谷健太郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。

公开(公告)号：CN101350331A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。

公开(公告)号：CN119421415A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411539728.1

申请日：2019-04-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根井孝征 ,  村川努 ,  竹内敏彦 ,  菅谷健太郎

IPC: H10B12/00 ,  H10D30/67

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。

公开(公告)号：CN101504930B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910004867.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  根井孝征 ,  小松立 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。

公开(公告)号：CN110571278A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910878492.7

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105659369A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。