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公开(公告)号：CN111496668B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201911345425.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明为研磨装置及研磨部件的修整方法，修整器能够在沿着摆动方向而设定于研磨部件上的多个扫描区域中调整摆动速度，具备以下步骤：在沿着修整器的摆动方向预先设定于研磨部件上的多个监控区域中测定研磨部件的表面高度；创建由监控区域、扫描区域和修整模型定义的修整模型矩阵；使用修整模型和各扫描区域中的摆动速度或停留时间来计算高度轮廓预测值；根据与研磨部件的高度轮廓的目标值的差值来设定评价指标；以及根据评价指标来设定修整器的各扫描区域中的摆动速度，使用于确定高度轮廓的目标值或评价指标的参数中的至少一方自动地变化。
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公开(公告)号：CN114986383A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210182363.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B53/017 , B24B27/00 , B24B7/22 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种可获得所需的膜厚轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨单元(14a)；测量基板(W)的膜厚轮廓的膜厚测量器(8)；及至少控制研磨单元和膜厚测量器的动作的控制装置(30)。控制装置预先存储有考虑随着各压力室(7a～7h)内的压力变化而基板的多个监视区域相互间产生的研磨量的变化制作而成的反应模型。再者，控制装置使用膜厚测量器取得基板研磨前的膜厚轮廓，并以依据研磨前的基板的膜厚轮廓与基板的目标膜厚的差值及反应模型制作而成的最佳研磨方案来研磨基板。下一个基板则以依据下一个基板的目标研磨量与使用最佳研磨方案及前一个基板在研磨前后的膜厚轮廓而修正的反应模型制作而成的新的最佳研磨方案来研磨。
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公开(公告)号：CN112692717A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011061881.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法。使研磨处理中的膜厚测定高效化。基板研磨装置具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，在所述传感器通过所述基板的被研磨面上时，所述控制部从所述传感器取得信号，基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。
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公开(公告)号：CN108818295B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810707673.9
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN106256016B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580020452.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118809424A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410476091.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明为膜厚测定装置、膜厚测定方法及基板研磨装置，膜厚测定装置具备：保持作为研磨对象的基板且能够使基板移动的头部件；由透明材料构成的载物台；向载物台上供给液体的液体供给部；将载物台上的液体向外部排出的液体排出部；隔着载物台配置于所述头部件的相反侧，对于隔着载物台配置的基板的表面进行光学性膜厚测定的计侧部；以及使载物台和头部件中的至少一方以接近另一方的方式移动，并且在基板的表面被液体浸湿的状态下对所述基板进行光照射而进行膜厚测定的控制部。
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公开(公告)号：CN118106878A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311601303.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/16 , B24B1/00
Abstract: 本发明提供工件研磨速率的响应性概况的制作方法、研磨方法以及研磨装置，能够准确地取得研磨速率相对于将晶片等工件向研磨垫按压的压力的变化的响应性。在本方法中，使用模拟来制作推定研磨速率响应性概况，该推定研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于研磨头(7)的第一压力室内的压力变化的响应性的分布，使用工件的研磨结果来制作实际研磨速率响应性概况，该实际研磨速率响应性概况表示研磨速率相对于第二压力室内的压力变化的响应性的分布，通过将推定研磨速率响应性概况和实际研磨速率响应性概况组合，而制作混合研磨速率响应性概况。
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公开(公告)号：CN109382755B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810898811.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/013 , B24B37/30 , B24B37/34
Abstract: 本发明的基板研磨装置及方法适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且适当地检测基板研磨的终点。基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。
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公开(公告)号：CN113927374A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110717711.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够以高的精度来测定在表面具有各种构造要素的半导体晶片等基板的膜厚的研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质。研磨方法生成来自基板(W)上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状将多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，并且通过多个一次光谱来确定基板(W)的多个膜厚，使用一次光谱或者多个膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。
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公开(公告)号：CN111584354B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010459633.4
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , B24B37/04 , B24B37/20
Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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