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公开(公告)号：CN114535601B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210077141.8
申请日：2022-01-24
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明首次提出了一种热电粉体作为打印原料在激光选区熔化工艺中免刮平的方法，即将热电粉体与挥发性溶剂按比例混合，制成一定流动性的固液混合物，通过控制该固液混合物的浓度和滴加用量等，待其中的溶剂挥发殆尽后，无需进行刮平处理，直接进行激光选区熔化工艺，所得打印面成形质量良好。该免刮平方法操作简便，原料利用率高，特别是解决了传统3D打印过程中非球形热电颗粒粉体难刮平的问题，极大地拓宽了3D打印的材料范畴。
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公开(公告)号：CN117677265A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525476.2
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法，包括如下步骤：将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀，然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂，通过助剂分解并进入层间诱导产生层错，烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布，可有效散射中频声子，优化材料的热电性能；同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度，提升其力学性能；可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN109384202B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811452121.4
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明首次开发了一种制备具有室温柔性的Ag2Q(Q＝Se,Te)基无机电子材料的方法，它以Ag粉和Se或Te粉为原料，室温下短时间内摇匀即可放量合成Ag2Q(Q＝Se,Te)单相化合物。本发明首次提出采用简单的摇匀手段实现单相Ag2Q化合物的制备，且所得化合物粉体具有良好的塑性，可以在室温下进行简单冷压得到高致密度的任意形状块材；所得块材在室温下还具有良好的柔性，大的磁电阻及优异的热电性能，可为高性能柔性无机电子材料的制备提供一条全新思路。本发明涉及的制备工艺超简单、制备时间超短，可为具有室温柔性的Ag2Q无机电子材料的放量制备和大规模应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN108511589B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810280619.0
申请日：2018-03-27
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明首次提出了一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法，通过对阴‑阳离子构成的基础化合物，同时在其阴离子位及阳离子位实现“高熵化”，构建并制备出阴离子位及阳离子位均为多主元的高构型熵材料新体系。该材料体系可实现电、热的协同输运，从而大幅度提升热电性能等，为热电材料性能优化提供了一条全新思路和途径，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN107887495B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610865029.5
申请日：2016-09-29
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明首次公开了一种一步制备Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料的方法，具体步骤为：1)以Cu粉、Se粉和Bi2SeO2粉为原料，按配比混合得到反应物；2)将所得反应物引发燃烧合成反应，之后冷却，一步得到Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料粉体；3)将得到的复合物研磨成粉，进行等离子体活化烧结，得到Cu2Se/BiCuSeO块体复合热电材料。本发明涉及的工艺简单、制备时间短，制备的Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料性能极为优越。当BiCuSeO含量为0.1％时，在973K，ZTmax＝2.67。本发明为Cu2Se/BiCuSeO块体复合热电材料的规模化制备和大规模应用奠定了重要基础。
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公开(公告)号：CN105152143B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510433936.8
申请日：2015-07-22
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明公开了种BiSeO基热电材料的燃烧合成方法及其助燃剂,它以Bi、Se、BiO为原料,采用PbO化合物作为助燃剂促进发生燃烧合成反应,制备得到BiPbSeO热电材料。本发明具有制备时间超短、工艺简单、对设备要求低、节能环保、适合规模化生产等优点,为BiSeO基热电材料的规模化制备和大规模应用奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN107887495A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610865029.5
申请日：2016-09-29
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明首次公开了一种一步制备Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料的方法，具体步骤为：1)以Cu粉、Se粉和Bi2SeO2粉为原料，按配比混合得到反应物；2)将所得反应物引发燃烧合成反应，之后冷却，一步得到Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料粉体；3)将得到的复合物研磨成粉，进行等离子体活化烧结，得到Cu2Se/BiCuSeO块体复合热电材料。本发明涉及的工艺简单、制备时间短，制备的Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料性能极为优越。当BiCuSeO含量为0.1％时，在973K，ZTmax＝2.67。本发明为Cu2Se/BiCuSeO块体复合热电材料的规模化制备和大规模应用奠定了重要基础。
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公开(公告)号：CN105256161B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510742618.X
申请日：2015-11-04
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明首次公开了一种Ag2Se块体热电材料的免烧致密化制备工艺，它以Ag粉和Se粉为原料，自动研磨混合均匀后得到Ag2Se化合物粉体，再将此粉体装入WC模具中，在压机下施以一定压力，即可在几分钟内制得致密的Ag2Se块体热电材料。本发明涉及的工艺简单、制备时间极短，制备过程不消耗电能和热能，所得产物组分分布均匀，能极大限度地避免热处理带来的Ag+迁移。所制备的Ag2Se块体热电材料性能优越，ZTmax＝1.2@118℃，为Ag2Se化合物的规模化制备和大规模应用奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN104630531B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510064769.4
申请日：2015-02-09
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明提供了一种超快速制备In4Se3基热电材料的方法，首次采用微力诱导的方法激活In与Se的化学反应，从而快速制备In4Se3基化合物；再结合放电等离子体烧结技术，在20min内即可获得高致密度的In4Se3基块体热电材料。该方法具有制备时间极短、工艺简单，对设备要求低，节能，性能优异，适合规模化生产等优点。
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公开(公告)号：CN105420529A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510747203.1
申请日：2015-11-04
申请人： 武汉理工大学
CPC分类号： C22C1/0466 , C22C5/06 , H01L35/16
摘要： 本发明首次公开了一种Ag2X块体热电材料的超快速合成方法，它以Ag和X单质为原料，混合均匀后在常温下施以高压，反应和致密化一步完成，制备得到Ag2X块体热电材料，其中，X为Se或Te。本发明制备的Ag2Se、Ag2Te块体致密度均在97％以上，且涉及的制备时间短、工艺简单。同时，该方法解决了硒化物及碲化物高温合成过程中元素的挥发问题，实现了成分及微结构的精确控制。所得产物的热电性能优于传统制备方法，所得Ag2Se的ZTmax＝0.65@107℃，Ag2Te的ZTmax＝0.7@127℃。本发明为Ag2Se和Ag2Te热电材料的规模化制备和大规模应用奠定了良好的基础。
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