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公开(公告)号：CN103846781A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641959.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017 , H01L21/02041
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号：CN103854991B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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公开(公告)号：CN103854991A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310634807.6
申请日：2013-12-02
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304 , B28D5/00 , C30B33/00 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814667B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480065794.8
申请日：2014-12-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有：载物台(34)，其设置晶片(W)；旋转驱动部(34b)，其使载物台(34)周向旋转；喷液嘴(35)，其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置，向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L)；以及控制单元(4)，其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外，具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置，至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。
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公开(公告)号：CN103975276B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201280060328.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05C11/1005 , G03F7/3021
Abstract: 形成于半英寸尺寸的晶圆上的抗蚀剂的最佳的显影方法及装置。是在制作极小单位数的半导体器件的晶圆尺寸的晶圆上形成的抗蚀剂的旋转显影方法及其装置，所述旋转显影方法包括：第1步骤，在停止着的晶圆上滴下显影液直到显影液的厚度达到最大；第2步骤，一边使晶圆旋转一边进行显影；第3步骤，使晶圆的旋转停止向晶圆上供给约第1步骤中的显影液量的一半的显影液；第4步骤，一边使晶圆旋转一边以比第2步骤长的显影时间进行显影。
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公开(公告)号：CN103846781B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310641959.9
申请日：2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号：CN105814667A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065794.8
申请日：2014-12-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有：载物台(34)，其设置晶片(W)；旋转驱动部(34b)，其使载物台(34)周向旋转；喷液嘴(35)，其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置，向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L)；以及控制单元(4)，其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外，具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置，至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。
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公开(公告)号：CN103975276A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060328.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05C11/1005 , G03F7/3021
Abstract: 形成于半英寸尺寸的晶圆上的抗蚀剂的最佳的显影方法及装置。是在制作极小单位数的半导体器件的晶圆尺寸的晶圆上形成的抗蚀剂的旋转显影方法及其装置，所述旋转显影方法包括：第1步骤，在停止着的晶圆上滴下显影液直到显影液的厚度达到最大；第2步骤，一边使晶圆旋转一边进行显影；第3步骤，使晶圆的旋转停止向晶圆上供给约第1步骤中的显影液量的一半的显影液；第4步骤，一边使晶圆旋转一边以比第2步骤长的显影时间进行显影。
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