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公开(公告)号：CN106449582A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610048246.5
申请日：2016-01-25
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
发明人： 黃智文
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6638 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种高频封装，包含有一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。
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公开(公告)号：CN107947823B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710082024.X
申请日：2017-02-15
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明公开了一种射频装置，包含有一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线与一接地导线，设置于所述芯片的背面；一讯号金属片、一第一接地金属片与一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面，其中，所述讯号金属片跨越形成于所述讯号导线与所述接地导线之间的一第二间隙，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围该讯号金属片。
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公开(公告)号：CN106257828B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510398903.4
申请日：2015-07-09
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
CPC分类号： H03F3/21 , H03F1/303 , H03F3/19 , H03F2200/27 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种偏压电路，包含有一偏压模块，电性连接于一放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。
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公开(公告)号：CN106449577A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610069864.8
申请日：2016-02-01
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488
摘要： 本发明提供一种高频封装结构，包含一接地引脚，耦接于一晶粒的一接地部，设置于该高频封装结构的一侧边，该接地引脚占据该侧边，该接地引脚具有一孔槽；以及一讯号引脚，设置于该孔槽之中；其中，该接地引脚环绕该讯号引脚，该接地引脚与该讯号引脚形成一接地－讯号－接地结构。
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公开(公告)号：CN106257828A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510398903.4
申请日：2015-07-09
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
CPC分类号： H03F3/21 , H03F1/303 , H03F3/19 , H03F2200/27 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种偏压电路，包含有一偏压模块，电性连接于一放大电路；以及一控制串行，其一端电性连接于一正电压，另一端电性连接于该偏压模块，该控制串行包含有一开关组件，受控于一控制电压而导通或关闭；以及一压降组件，串接于该开关组件，该压降组件用来调整该放大电路的该偏压。
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公开(公告)号：CN106449582B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610048246.5
申请日：2016-01-25
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
发明人： 黃智文
IPC分类号： H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种高频封装，包含有一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。
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公开(公告)号：CN107947823A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710082024.X
申请日：2017-02-15
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明公开了一种射频装置，包含有一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线与一接地导线，设置于所述芯片的背面；一讯号金属片、一第一接地金属片与一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面，其中，所述讯号金属片跨越形成于所述讯号导线与所述接地导线之间的一第二间隙，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围该讯号金属片。
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公开(公告)号：CN106301249A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510305216.3
申请日：2015-06-05
申请人： 稳懋半导体股份有限公司
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/22 , H03F1/223 , H03F1/303 , H03F1/32 , H03F3/16 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/27 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种功率放大器(PowerAmplifier，PA)，包含有至少一放大晶体管及至少一辅助晶体管，该至少一放大晶体管中每一放大晶体管包含有一第一端，用来接收该功率放大器的一输入讯号；一第二端，用来输出该功率放大器的一输出讯号；以及一第三端。该至少一辅助晶体管中每一辅助晶体管包含有一第一端；一第二端，耦于该至少一放大晶体管的该第二端；以及一第三端，电性连接于该至少一放大晶体管的该第一端。
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