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公开(公告)号：CN110504326A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810473287.8
申请日：2018-05-17
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872
摘要： 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
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公开(公告)号：CN104979390B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201410136033.9
申请日：2014-04-04
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。
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公开(公告)号：CN104716181A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310729085.2
申请日：2013-12-17
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0882 , H01L29/66681
摘要： 本发明公开一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包括半导体基板、漏极区、轻掺杂漏极区、源极区以及栅极结构。其中，基板具有沟槽；漏极区形成于沟槽底部的半导体基板中；轻掺杂漏极区形成于沟槽侧壁的半导体基板中；源极区形成于半导体基板中；栅极结构形成于漏极区与源极区间以及轻掺杂漏极区上方的半导体基板表面上。本发明另提供侧向扩散式金氧半场效晶体管结构制造方法。
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公开(公告)号：CN110504326B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201810473287.8
申请日：2018-05-17
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872
摘要： 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
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公开(公告)号：CN104659092A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310593863.X
申请日：2013-11-21
申请人： 联华电子股份有限公司
摘要： 一种半导体结构，包括具有第一导电型的基板、具有第二导电型的深阱、具有第一导电型的第一阱、具有第二导电型的第二阱、栅极、第一绝缘物以及第二绝缘物。深阱形成于基板内并由基板的表面向下扩展。第一阱与第二阱由基板的表面向下扩展并形成于深阱内，第二阱与第一阱分离。栅极形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间。第一绝缘物由基板的表面向下扩展并形成于栅极与第二阱之间。第二绝缘物由基板的表面向下扩展并邻接于第一阱。第一绝缘物的深度与第二绝缘物的深度比小于1。
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公开(公告)号：CN103383963B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210137860.0
申请日：2012-05-04
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一导电型的一基板；第二导电型的一深阱，形成于基板内并由基板表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，由基板表面向下扩展并形成于深阱内；第二导电型的一第二阱，于深阱内由基板表面向下扩展并与第一阱相隔一距离；一栅极，形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间；一绝缘物，由基板表面向下扩展并形成于栅极与第二阱间；一导电插塞(conductive plug)，包括电连接的第一部分和第二部分，其中第一部分与栅极电连接，第二部分延伸于绝缘物里。
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公开(公告)号：CN104979390A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410136033.9
申请日：2014-04-04
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42368 , H01L21/26506 , H01L21/266 , H01L21/28026 , H01L21/28158 , H01L21/2822 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/401 , H01L29/6659 , H01L29/7816 , H01L29/7833 , H01L29/7834
摘要： 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。
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公开(公告)号：CN103383963A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210137860.0
申请日：2012-05-04
申请人： 联华电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一导电型的一基板；第二导电型的一深阱，形成于基板内并由基板表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，由基板表面向下扩展并形成于深阱内；第二导电型的一第二阱，于深阱内由基板表面向下扩展并与第一阱相隔一距离；一栅极，形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间；一绝缘物，由基板表面向下扩展并形成于栅极与第二阱间；一导电插塞(conductive plug)，包括电连接的第一部分和第二部分，其中第一部分与栅极电连接，第二部分延伸于绝缘物里。
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