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公开(公告)号：CN106098627A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610275892.5
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/8249 , H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/7371
Abstract: 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996660B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410056337.4
申请日：2014-02-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H05K13/00 , H01G9/15 , H01G11/84 , H01L23/58 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H05K1/0296 , H05K1/16 , H05K2201/10037 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49108 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法和集成电路。用于制造集成电路的方法可以包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。
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公开(公告)号：CN106098627B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610275892.5
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/8249 , H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/7371
Abstract: 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。
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公开(公告)号：CN104517973B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410502518.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/016 , H01G4/33 , H01G4/40 , H01G11/08 , H01L21/822 , H01L28/00 , H01L28/90 , H01L2224/04105 , H01L2224/24195 , H01L2924/12044 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/4257 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含：半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。
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公开(公告)号：CN104517973A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410502518.5
申请日：2014-09-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/142 , H01L31/0463
CPC classification number: H01L27/016 , H01G4/33 , H01G4/40 , H01G11/08 , H01L21/822 , H01L28/00 , H01L28/90 , H01L2224/04105 , H01L2224/24195 , H01L2924/12044 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/4257 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含：半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。
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公开(公告)号：CN103996660A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056337.4
申请日：2014-02-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H05K13/00 , H01G9/15 , H01G11/84 , H01L23/58 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H05K1/0296 , H05K1/16 , H05K2201/10037 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49108 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法和集成电路。用于制造集成电路的方法可以包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。
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