一种具有常关沟道的高压多异质结器件

    公开(公告)号:CN105140280B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201510446154.8

    申请日:2015-07-27

    摘要: 本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件,特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件,本发明的多异质结型常关沟道器件,主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结,在栅极下方具有非平面结构,非平面的异质结沟道的极化方向与第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层和第六半导体层的材料生长方向有一定角度,实现异质结界面的二维电子气(2DEG)不连续,即源漏之间形成了非常闭型电气连接,最终实现多异质结常关沟道器件。本发明的有益效果为多异质结常关沟道器件,能在高温高场环境下稳定工作,版图和工艺易于实现,且易于控制常关沟道的阈值电压。

    一种负压检测电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117452171A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311408964.5

    申请日:2023-10-27

    发明人: 罗章成 孙江

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及集成电路领域,提供了一种负压检测电路,其主旨在于能够满足对栅极负压快速检测的要求,并且静态功耗低,鲁棒性好。主要方案包括正温度系数电流源产生温度系数为正的偏置电流,电压放大器负责检测负压输入引脚的电压值,输出对应的模拟信号;信号整形电路负责将电压放大器电路输出的模拟信号进行整形,输出为边沿整齐的数字逻辑信号;所述反馈电路通过引入反馈实现负压检测阈值的迟滞窗口。应用上述方案可实现低功耗,小面积,高精度的负压检测,适用于模拟开关电路或者射频开关电路的栅极负压检测。

    一种地铁轨道扣件振动信号检测装置及健康评估方法

    公开(公告)号:CN112113655A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010995216.1

    申请日:2020-09-21

    IPC分类号: G01H11/06 G06N3/04 G06N3/08

    摘要: 本发明公开了一种城市地铁轨道扣件振动信号检测装置,其包括压敏电阻、放大滤波电路、A/D转换电路、处理器和显示器。本发明评估轨道扣件健康状况的方法包括步骤:S1:建立轨道扣件振动信号的数据库;S2:收集若干地铁轨道上轨道扣件工作时的振动信号;S3:建立BP神经网络模型;S4:分别训练得到健康振动信号BP神经网络模型、亚健康振动信号BP神经网络模型和危险振动信号BP神经网络模型;S5:识别出该振动信号的类型,并将识别结果显示在显示屏上。本方案检测出的电信号通过BP神经网络进行筛选,判断具体轨道扣件的健康状况,可以避免因弹条老化而造成的运行故障和意外的发生,达到安全预警和安全监控的目的。

    一种双向触发异质结型ESD防护器件

    公开(公告)号:CN104900643B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201510203003.X

    申请日:2015-06-08

    IPC分类号: H01L27/02 H01L29/778

    摘要: 本发明涉及半导体技术,特别涉及及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件,主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结,并在欧姆接触附近连接设置有金半接触,通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗尽与导通,实现电路的双向触发。常态下,可通过控制金半接触正下方沟道的耗尽长短控制触发的阈值电压;还可通过常态下控制两个金半接触间的导通沟道生长长度实现电路的耐压值可控。本发明的有益效果为,在高温高场强环境下性能稳定,还具有电路耐压值可控的优点。

    一种围栅异质结器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104992973A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510263199.1

    申请日:2015-05-21

    IPC分类号: H01L29/778 H01L29/423

    CPC分类号: H01L29/7786 H01L29/42316

    摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种围栅异质结器件。本发明的围栅异质结器件,主要采用第二类半导体与第三类半导体形成异质结,并在欧姆接触S端设置绝缘层,在源漏之间设置有围栅栅极,通过在围栅栅极结构控制栅极沟道的关断及导通;在器件未加电压时,可通过控制围栅栅极里第三类半导体的厚度和掺杂的正负离子浓度使得器件是常关器件,通过栅漏之间和源漏之间的生长长度实现器件的正反向耐压。本发明的有益效果为围栅异质结器件是常关器件,能在异质结型HEMTs中集成、版图和工艺兼容性好,在高温高场环境下性能稳定,还具有电路耐压值可控的优点。

    一种高压异质结晶体管
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105336771A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510626568.9

    申请日:2015-09-28

    IPC分类号: H01L29/778 H01L29/06

    摘要: 本发明涉及半导体技术,特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上,在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构,该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底以及缓冲层均完全耗尽,从而使得衬底承受纵向耐压,进而改善器件的耐压能力;同时,外延层中P型杂质引入也会抬高势垒层高度,阻断漏电流通道,最终减小漏电流。

    一种地铁轨道扣件振动信号检测装置及健康评估方法

    公开(公告)号:CN112113655B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202010995216.1

    申请日:2020-09-21

    IPC分类号: G01H11/06 G06N3/04 G06N3/08

    摘要: 本发明公开了一种城市地铁轨道扣件振动信号检测装置,其包括压敏电阻、放大滤波电路、A/D转换电路、处理器和显示器。本发明评估轨道扣件健康状况的方法包括步骤:S1:建立轨道扣件振动信号的数据库;S2:收集若干地铁轨道上轨道扣件工作时的振动信号;S3:建立BP神经网络模型;S4:分别训练得到健康振动信号BP神经网络模型、亚健康振动信号BP神经网络模型和危险振动信号BP神经网络模型;S5:识别出该振动信号的类型,并将识别结果显示在显示屏上。本方案检测出的电信号通过BP神经网络进行筛选,判断具体轨道扣件的健康状况,可以避免因弹条老化而造成的运行故障和意外的发生,达到安全预警和安全监控的目的。

    基于树木发电的空气检测装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112649567A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202011379207.6

    申请日:2020-12-01

    IPC分类号: G01N33/00 H02N3/00 H02J7/32

    摘要: 本发明公开了一种基于树木发电的空气检测装置,其包括分别设置于选定树木根部和邻近位置处的土体中的电极板,电极板分别与升压储能器电连接,所述升压储能器与收发器连接,升压储能器还通过信号放大器依次与控制器和空气质量传感器电连接;所述收发器与控制器电连接。本发明能够解决现有技术中太阳能供电的空气质量检测体系可靠性不足的问题,效率高、稳定性强。

    一种具有常关沟道的高压多异质结器件

    公开(公告)号:CN105140280A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510446154.8

    申请日:2015-07-27

    摘要: 本发明涉及电力电子技术的新型增强机理的异质结器件,特别涉及一种具有常关沟道的高压多异质结器件,本发明的多异质结型常关沟道器件,主要通过第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层、第六半导体层形成多异质结,在栅极下方具有非平面结构,非平面的异质结沟道的极化方向与第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层和第六半导体层的材料生长方向有一定角度,实现异质结界面的二维电子气(2DEG)不连续,即源漏之间形成了非常闭型电气连接,最终实现多异质结常关沟道器件。本发明的有益效果为多异质结常关沟道器件,能在高温高场环境下稳定工作,版图和工艺易于实现,且易于控制常关沟道的阈值电压。

    一种恒定均方根电压输出电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117439371A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311339991.1

    申请日:2023-10-17

    发明人: 李琴鹏 孙江

    摘要: 本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种恒定均方根电压输出电路,主旨在于能够在不同电源电压下使输出功率恒定,且具有效率高、面积小的优点。主要方案包括均方根电压产生电路(1)、第一锯齿波产生电路(2)、第一比较器(3)、第一反相器(4)、第二反相器(5)、低通滤波电路(6)、第二锯齿波产生电路(7)、第二比较器电路(8)、功率驱动电路(9)、输出级电路(10)。本发明电路简单没有复杂的外围电路,大大降低了电路成本。功率损耗主要来源于第一PMOS管的导通损耗和开关损耗,相对于输出功率来说很小,因此,输出效率高。