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公开(公告)号:CN113272921B
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202080008426.5
申请日:2020-03-10
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明提供一种韧性和粘接强度优异且能够实现低介电常数化和低损耗角正切化的绝缘膜、粘接膜和扁平电缆。更详细而言,绝缘膜4在扁平电缆1中使用。该绝缘膜4由含有聚芳硫醚系树脂(A)、聚苯醚系树脂(B)、以及具有能够与前述聚芳硫醚系树脂(A)和聚苯醚系树脂(B)中的至少一者反应的反应性基的改性弹性体(C)的树脂组合物形成,该树脂组合物中前述聚芳硫醚系树脂(A)的含量为50~93质量%,前述聚苯醚系树脂(B)的含量为3~40质量%。
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公开(公告)号:CN119233529A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202410679149.0
申请日:2024-05-29
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 在本发明中,提供一种耐回流性优异的传输损耗少的电路基板及高速传输电缆。发现通过至少将金属层(I)、在单面或双面形成有电路的绝缘基材(I)、在电路形成面侧具有特定成分的接着层、绝缘基材(II)或金属层(II)依次层叠,可解决所述问题,已至完成本发明,其中所述绝缘基材(I)包含作为主成分的聚亚芳基硫醚系树脂(A)与玻璃化温度为140℃以上、或熔点为230℃以上的聚亚芳基硫醚系树脂(A)以外的热塑性树脂(B)的树脂组合物。
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公开(公告)号:CN114514117A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202080071395.8
申请日:2020-08-27
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明提供能够良好地将金属层与聚亚芳基硫醚树脂在聚亚芳基硫醚树脂的熔点以下的温度直接热粘接、且能够实现低介电常数化和低介电损耗角正切化的膜、和使用该膜的层叠体、以及它们的制造方法。一种双轴拉伸层叠膜、该双轴拉伸层叠膜与金属层和/或树脂成型体接合而成的层叠体、它们的制造方法,该双轴拉伸层叠膜将由对树脂组合物(A)进行双轴拉伸而成的膜构成的树脂层配置为与金属、树脂成型体直接粘接的层,该树脂组合物(A)通过将聚亚苯基醚系树脂和苯乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物在聚亚芳基硫醚树脂中作为原料来进行制造、且形成有特定的形态。
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公开(公告)号:CN119383831A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202410433399.6
申请日:2024-04-11
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明在于提供一种高频用混合基板、毫米波雷达及天线,通过使用包含分散有特定的热塑性树脂的聚亚芳基硫醚系树脂膜的印刷配线板,与金属层或环氧玻璃布层叠板的密接、及耐回流性优异。发现:利用高频用混合基板,可解决所述课题,从而完成了本发明,所述高频用混合基板是在环氧玻璃布层叠板与金属层所形成的印刷配线板的单面或两面层叠将包含作为主要成分的聚亚芳基硫醚系树脂(A)与玻璃化转变温度200℃以上、或熔点230℃以上的聚亚芳基硫醚系树脂以外的热塑性树脂(B)的树脂组合物的树脂层作为低介电材料层的印刷配线板而成。
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公开(公告)号:CN113272921A
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN202080008426.5
申请日:2020-03-10
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 本发明提供一种韧性和粘接强度优异且能够实现低介电常数化和低损耗角正切化的绝缘膜、粘接膜和扁平电缆。更详细而言,绝缘膜4在扁平电缆1中使用。该绝缘膜4由含有聚芳硫醚系树脂(A)、聚苯醚系树脂(B)、以及具有能够与前述聚芳硫醚系树脂(A)和聚苯醚系树脂(B)中的至少一者反应的反应性基的改性弹性体(C)的树脂组合物形成,该树脂组合物中前述聚芳硫醚系树脂(A)的含量为50~93质量%,前述聚苯醚系树脂(B)的含量为3~40质量%。
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公开(公告)号:CN111918925A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN201980019818.9
申请日:2019-04-23
Applicant: DIC株式会社
IPC: C08L81/02 , B32B15/08 , C08L25/08 , C08L71/12 , C08L101/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供:得到的双轴拉伸薄膜的拉伸均匀性和介电特性优异的树脂组合物。具体而言,提供一种树脂组合物和其双轴拉伸薄膜,所述树脂组合物至少将聚芳硫醚树脂、聚苯醚系树脂、苯乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物和弹性体作为原料,且具有连续相和分散相,前述连续相包含聚芳硫醚树脂,前述分散相包含聚苯醚系树脂和弹性体,前述分散相的平均分散直径为5μm以下。
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公开(公告)号:CN119753576A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411238009.6
申请日:2024-09-05
Applicant: DIC株式会社
Inventor: 小桥一范
IPC: C23C14/16 , C08J5/18 , C08L81/02 , C08L71/12 , C08L69/00 , C08L81/06 , C08L79/08 , C08L27/18 , C08L23/0884 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种拉伸性优异、在得到的双轴拉伸膜中为低介电常数、能够具有优异的与金属的粘接性的基膜,以及使用了该基膜的尺寸精度良好的层叠板、使用了该层叠板的电子器件。发现通过使用具备基膜、第一金属层和第二金属层的层叠板,能够解决上述课题,从而完成了本发明,所述基膜含有聚芳硫醚系树脂(A)和玻璃化转变温度140℃以上或熔点230℃以上的热塑性树脂(不包括聚芳硫醚系树脂)(B),所述第一金属层成膜于所述基膜的表面且由包含Ni的合金构成,所述第二金属层成膜于第一金属层的表面。
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公开(公告)号:CN111918925B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN201980019818.9
申请日:2019-04-23
Applicant: DIC株式会社
IPC: C08L81/02 , B32B15/08 , C08L25/08 , C08L71/12 , C08L101/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供:得到的双轴拉伸薄膜的拉伸均匀性和介电特性优异的树脂组合物。具体而言,提供一种树脂组合物和其双轴拉伸薄膜,所述树脂组合物至少将聚芳硫醚树脂、聚苯醚系树脂、苯乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物和弹性体作为原料,且具有连续相和分散相,前述连续相包含聚芳硫醚树脂,前述分散相包含聚苯醚系树脂和弹性体,前述分散相的平均分散直径为5μm以下。
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公开(公告)号:CN116669954A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202180087295.9
申请日:2021-12-16
Applicant: DIC株式会社
IPC: B32B27/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种连续挤出制膜性、拉伸性优异,在得到的双轴拉伸膜中为低介电常数,能够具有优异的与金属的粘接性的树脂组合物、以及使用了包含该树脂组合物的膜的层叠体,发现:通过使用包含聚芳硫醚树脂(A)、含氟系树脂(B)、玻璃化转变温度140℃以上或熔点270℃以下的含氟系树脂(B)以外的热塑性树脂(C)的树脂组合物、以及包含该树脂组合物的膜,能够解决上述课题,从而完成了本发明。
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公开(公告)号:CN115637046A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202210835265.8
申请日:2022-07-15
Applicant: DIC株式会社
IPC: C08L81/02 , C08L69/00 , C08L81/06 , C08L79/08 , C08L71/12 , C08K5/29 , C08J5/18 , B32B27/28 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B15/00 , B32B15/04 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/00 , B32B7/12 , H05K1/03
Abstract: 本发明涉及聚芳硫醚系树脂组合物和使用其的双轴拉伸薄膜、层叠体和电路基板。提供:在聚芳硫醚系树脂的熔点以下的温度下能与金属、树脂成型体直接热粘接的树脂组合物和使用其的双轴拉伸薄膜和外观良好的层叠体。发现通过使用如下树脂组合物,从而可以解决课题,至此完成了本发明:将聚芳硫醚树脂(A)作为主成分,且包含玻璃化转变温度140℃以上或熔点270℃以下的聚芳硫醚系树脂(A)以外的热塑性树脂(B)和碳二亚胺化合物(C)。
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