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公开(公告)号:CN103939849B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310728266.3
申请日:2013-12-25
Applicant: LG电子株式会社
IPC: F21V8/00 , F21V14/00 , G02F1/13357
Abstract: 用于面状照明的设备。公开了一种可配置发光器件的用于面状照明的设备。该用于面状照明的设备包括:多个光源,所述多个光源设置在电路板上;反射层,该反射层设置在所述电路板上;透射调节层,该透射调节层设置在所述反射层上,并且配置有孔图案,该孔图案允许光通过该孔图案透射,其中,接近所述光源设置的孔的尺寸小于设置在相邻两个光源之间的孔的尺寸;间隔物,该间隔物设置在所述反射层和所述透射调节层之间,以使得所述间隔物保持所述反射层和所述透射调节层之间的距离,其中,所述间隔物包括至少一个突起,该至少一个突起通过弯曲板构件而形成;以及光学片,该光学片设置在所述透射调节层上。
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公开(公告)号:CN105789411A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610127196.X
申请日:2012-01-19
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光器件封装和具有发光器件封装的照明装置。发光器件封装包括:封装主体,其具有第一表面和第二表面以及贯通孔,其中第一表面上设有安装部分,并且贯通孔设置在封装主体中以穿过第一表面和第二表面;在第一表面上的至少一对第一电极;在第二表面上的至少一对第二电极,其分别通过贯通孔连接到第一电极;在安装部分上的发光器件,其电连接到第一电极;在发光器件上的光波长转换层;以及在光波长转换层上的保护层,该保护层用于密封安装部分。
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公开(公告)号:CN102751422B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201210017846.7
申请日:2012-01-19
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及发光器件封装和具有发光器件封装的照明装置。发光器件封装包括:封装主体,其具有第一表面和第二表面以及贯通孔,其中第一表面上设有安装部分,并且贯通孔设置在封装主体中以穿过第一表面和第二表面;在第一表面上的至少一对第一电极;在第二表面上的至少一对第二电极,其分别通过贯通孔连接到第一电极;在安装部分上的发光器件,其电连接到第一电极;在发光器件上的光波长转换层;以及在光波长转换层上的保护层,该保护层用于密封安装部分。
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公开(公告)号:CN103939849A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201310728266.3
申请日:2013-12-25
Applicant: LG电子株式会社
IPC: F21V8/00 , F21V14/00 , G02F1/13357
CPC classification number: F21V13/10 , G02F1/133555 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F1/133611 , G02F2203/09
Abstract: 用于面状照明的设备。公开了一种可配置发光器件的用于面状照明的设备。该用于面状照明的设备包括:多个光源,所述多个光源设置在电路板上;反射层,该反射层设置在所述电路板上;透射调节层,该透射调节层设置在所述反射层上,并且配置有孔图案,该孔图案允许光通过该孔图案透射,其中,接近所述光源设置的孔的尺寸小于设置在相邻两个光源之间的孔的尺寸;间隔物,该间隔物设置在所述反射层和所述透射调节层之间,以使得所述间隔物保持所述反射层和所述透射调节层之间的距离,其中,所述间隔物包括至少一个突起,该至少一个突起通过弯曲板构件而形成;以及光学片,该光学片设置在所述透射调节层上。
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公开(公告)号:CN101101944A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200610168565.6
申请日:2006-12-21
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L23/498
CPC classification number: H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 公开了一种用于安装发光器件的辅助底座,以及利用该辅助底座的发光器件封装。发光器件封装包括:封装体,其具有用于安装发光器件的底座,和若干通孔;电极,其形成在封装体上;和反射层,其被设置在形成在封装体上表面上的一个电极上。所述反射层具有若干开口,用于使发光器件能够连接到电极上。
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公开(公告)号:CN107255886B
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:CN201710266063.5
申请日:2014-01-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明公开一种面状照明装置及显示装置,更具体地,公开了一种具有发光装置的面状照明装置。面状照明装置包括:多个光源,其布置在电路基板的第一表面上,所述多个光源安装在所述电路基板上;光调节器,其设置在所述第一表面的边缘,光调节器对由接近所述边缘的多个光源之间在距离上的差别导致的亮度差别进行调节;以及光学片,其设置在所述多个光源上。
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公开(公告)号:CN102751422A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201210017846.7
申请日:2012-01-19
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及发光器件封装和具有发光器件封装的照明装置。发光器件封装包括:封装主体,其具有第一表面和第二表面以及贯通孔,其中第一表面上设有安装部分,并且贯通孔设置在封装主体中以穿过第一表面和第二表面;在第一表面上的至少一对第一电极;在第二表面上的至少一对第二电极,其分别通过贯通孔连接到第一电极;在安装部分上的发光器件,其电连接到第一电极;在发光器件上的光波长转换层;以及在光波长转换层上的保护层,该保护层用于密封安装部分。
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公开(公告)号:CN100539218C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200610168565.6
申请日:2006-12-21
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L23/498
CPC classification number: H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 公开了一种用于安装发光器件的辅助底座,以及利用该辅助底座的发光器件封装。发光器件封装包括:封装体,其具有用于安装发光器件的底座,和若干通孔;电极,其形成在封装体上;和反射层,其被设置在形成在封装体上表面上的一个电极上。所述反射层具有若干开口,用于使发光器件能够连接到电极上。
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公开(公告)号:CN117941082A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202180102337.1
申请日:2021-09-14
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括:发光部;第一电极,位于发光部的下部和侧部上;第二电极,位于发光部的上部上;复数个沟槽,位于发光部的侧部上;以及钝化层,位于发光部的侧部上,钝化层的末端可以位于复数个沟槽中的一个沟槽。
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公开(公告)号:CN114514611A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN201980100841.0
申请日:2019-10-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用在流体内进行自组装的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。具体地说,所述半导体发光元件的特征在于包括:第一导电型电极层和第二导电型电极层;第一导电型半导体层,与所述第一导电型电极层电连接;活性层,位于所述第一导电型半导体层上;以及第二导电型半导体层,位于所述活性层上,与所述第二导电型电极层电连接;所述第二导电型半导体层的一面包括所述一面的一部分被刻蚀而形成的台面结构,所述第二导电型电极层位于所述第二导电型半导体层的包括台面结构的所述一面上。
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