-
公开(公告)号:CN106463595B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201580024164.0
申请日:2015-05-11
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor: 阿部裕一
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明提供可长时间发挥高亮度且高发光效率的发光元件搭载用基板、以及在该发光元件搭载用基板上搭载发光元件而成的发光装置。一种发光元件搭载用基板,其具备包含陶瓷的基板、设置于该基板上且主要成分为金或者银的金属层、和以覆盖该金属层的至少一部分的方式而设置的树脂层,其中,所述树脂层包含铂,在所述金属层的表面存在镁、钙和铜中的至少一种的氧化物。
-
公开(公告)号:CN106486450B
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201610730700.5
申请日:2016-08-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: B23K35/0227 , B21C1/02 , B23K35/302 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C26/00 , C25D3/50 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/01201 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01006 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01203 , H01L2924/01206
Abstract: 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线,其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题,并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面,而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线,其为线径在10~25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线,于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量%以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层,其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。
-
公开(公告)号:CN105390404B
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201510723930.4
申请日:2015-10-30
Applicant: 广东佳博电子科技有限公司
CPC classification number: H01L2224/45139 , H01L2924/00011 , H01L2924/01205 , H01L2924/01046 , H01L2924/01058 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049
Abstract: 本发明公开了一种银基键合丝的制备方法,该银基键合丝是首先在纯度高于99.999%的Ag中添加2.0%‑4.0%Pd、3.0%‑5.0%Ce和4.0%‑6.0%Cu混合为合金基材,并通过对合金基材进行熔炼、拉丝、清洗、退火、绕线、包装等步骤制成,在熔炼过程中不需要加氮气保护,采用添加高温分子筛和反复抽真空进行除氧,同时通过多次反复熔炼使合金金属熔液完全熔合均匀,制得的银基键合丝一致性好,性能稳定,延伸率和拉伸强度高,确保了焊接质量和器件的可靠性和稳定性,并使整个生产工艺流畅,提高了生产效率,同时其还具有良好的抗氧化,导电性,成本适中,可广泛应用于IC、LED等电子封装领域。
-
公开(公告)号:CN105830205B
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201480068797.7
申请日:2014-12-04
Applicant: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
CPC classification number: H01L24/45 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/322 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C9/06 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/0607 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45101 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45166 , H01L2224/45541 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/4809 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/206 , H01L2924/386 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033 , H01L2924/01203
Abstract: 本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于,具备:芯材,其含有超过50mol%的金属M;中间层,其形成于所述芯材的表面,包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质,所述Ni的浓度为15~80mol%;以及,被覆层,其形成于所述中间层上,包含Ni、Pd和不可避免的杂质,所述Pd的浓度为50~100mol%,所述金属M为Cu或Ag,所述被覆层的Ni浓度低于所述中间层的Ni浓度。
-
公开(公告)号:CN105051886B
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201380075051.4
申请日:2013-03-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
Abstract: 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1),以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜,在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF),在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方,线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
-
公开(公告)号:CN104285287B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201380023826.3
申请日:2013-05-07
Applicant: 贺利氏材料工艺有限责任两合公司
CPC classification number: H01L24/48 , B21C1/003 , B21C9/00 , B32B15/01 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45033 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/16151 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/207 , H01L2924/2075 , Y10T29/49117 , Y10T428/1275 , H01L2924/01028 , H01L2924/01014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01008 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01203 , H01L2924/01201 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2224/05599 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049
Abstract: 本发明涉及一种条带,优选地用于微电子学中的结合的结合条带,包括包含具有表面的铜的第一层(2)和被叠加在第一层(2)的表面上的至少一个涂层(3)以及中间层(7),其中,该涂层(3)包括铝,其中,在条带的截面图中,基于条带的截面的总面积,第一层(2)的面积份额在从50至96%范围内,其中,截面图中的条带的宽度和高度之间的纵横比在从0.03至小于0.8范围内,其中,所述条带具有在从25000µm2至800000µm2范围内的截面面积,其中,所述中间层(7)被布置在第一层(2)与涂层(7)之间。其中,所述中间层(7)包括至少一个金属间相,其包括第一层(2)的材料和涂层(3)的材料。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。
-
公开(公告)号:CN103904074B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201310729969.8
申请日:2013-12-26
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L23/58 , H01L25/16 , B81B7/00 , H01L31/0216 , H01L31/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L25/167 , B81B7/00 , H01L23/58 , H01L25/16 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/048 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/00011 , H01L2924/1461 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及一种电路,具有:太阳能电池,所述太阳能电池具有起光伏作用的正面以及背面;以及电子的或微机械的构件,所述构件布置在太阳能电池的背面上且借助于一种接通结构与太阳能电池的起光伏作用的正面进行电连接。此外,所述电路具有透明的第一保护层,该第一保护层布置在所述太阳能电池的起光伏作用的正面上,其中所述接通结构具有第一接通部段,该第一接通部段布置在第一保护层的、背离太阳能电池的正面上。
-
公开(公告)号:CN105428335B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201510899336.0
申请日:2015-12-09
Applicant: 北京达博有色金属焊料有限责任公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4381 , H01L2224/43825 , H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45573 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/00011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明公开了一种键合丝,该键合丝由键合丝基体和包覆在键合丝基体外的三层镀层构成,键合丝基体为金银钯合金,三层镀层由内向外依次为金镀层、钯镀层、铂镀层,并且铂镀层在三层镀层中的厚度最厚。本发明的键合丝具有三层镀层结构,其抗氧化硫化性强,能解决银的迁移问题,电子封装后道性能稳定性好,且制备成本低,可完全取代金丝。
-
公开(公告)号:CN103824835B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201310429654.1
申请日:2013-09-13
Applicant: 意法半导体(马耳他)有限公司 , 意法半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49541 , G01P1/023 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/1815 , H05K3/303 , H05K3/3421 , H05K2201/09781 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体器件的表面装配封装,具有:封包体,容纳包括半导体材料的至少一个裸片;以及电接触引线,从封包体突出以电耦合到电路板的接触焊盘;封包体具有被设计为与电路板的顶表面相向的主面,主面具有耦合特征,耦合特征被设计用于机械耦合到电路板以增加装配的封装的共振频率。耦合特征构思从主面开始在封包体内限定的至少一个第一耦合凹陷,第一耦合凹陷被设计为由被固定到电路板的对应耦合元件接合,由此约束装配的封装的移动。
-
公开(公告)号:CN103367600B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201310059728.7
申请日:2013-02-26
Applicant: LG伊诺特有限公司
Inventor: 吴南锡
IPC: H01L33/48 , H01L33/64 , H01L33/54 , H01L25/075
CPC classification number: H01L25/0753 , G02B6/0073 , G02B6/0078 , G02B6/0088 , G02B6/25 , H01L25/13 , H01L27/15 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/647 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00011
Abstract: 所公开的是一种包括光源模块和容纳光源模块的壳体的发光灯,光源模块包括至少一个光源和布置在基板上以掩埋至少一个光源的光导层,并且至少一个光源包括:具有空腔的主体;第一引线框架,其包括暴露于空腔的一端和穿过主体且暴露于主体的一个表面的另一端;第二引线框架,其包括暴露于主体的表面的一部分的一端、暴露于主体的表面的另一部分的另一端、以及暴露于空腔的中间部分;以及至少一个发光芯片,其包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层,并且至少一个发光芯片被布置在第一引线框架上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-