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公开(公告)号：CN103748483A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280039957.6
申请日：2012-06-07
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 迈赫兰·纳赛尔-古德西 , 克里斯多夫·西尔斯 , 罗伯特·海恩斯
IPC分类号： G01T3/00
CPC分类号： H01J37/244 , H01J2237/045 , H01J2237/24485 , H01J2237/2449 , H01J2237/2511 , H01J2237/2516
摘要： 一种背景减少系统可包含但不限于：带电粒子源，其经配置以产生带电粒子束；百叶窗结构，其包含一个或一个以上孔口，所述一个或一个以上孔口经配置以根据带电粒子的入射角而选择性地透射所述带电粒子；及带电粒子检测器，其经配置以接收由所述百叶窗结构选择性地透射的带电粒子。
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公开(公告)号：CN102016525B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200980116526.3
申请日：2009-05-07
申请人： 恪纳腾公司
CPC分类号： H01J37/244 , G01N2223/079 , G01N2223/086 , G01N2223/33 , H01J37/256 , H01J2237/24495 , H01J2237/2511 , H01J2237/2807
摘要： 具有电子束生成器的谱仪，所述电子束生成器用于生成被导向试样的电子束。电子束定位器将所述电子束引导至所述试样上的适当位置上，并且从而产生来自所述试样的二次发射流，其中所述二次发射流包括电子和X射线中的至少一种。二次发射流定位器将所述二次发射流定位到检测器阵列上，所述检测器阵列接收所述二次发射流并且检测所述二次发射流的量和被接收到的位置两者。调制器调制被引导至所述试样上的所述电子束，并且从而在所述试样上的第一位置和第二位置之间扫描所述电子束。提取器与所述调制器和所述检测器阵列两者信号通信。
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公开(公告)号：CN101228609B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680023949.7
申请日：2006-04-19
申请人： 瑞沃瑞公司
发明人： B·许勒尔
CPC分类号： G01B15/02 , H01J2237/2511 , H01J2237/2522 , H01J2237/2814
摘要： 根据本发明的一个实施例，使用光电子能谱来确定基片上的单个或多个层结构中的一个或多个层的厚度。可以通过测量当使用光子轰击时由所述结构所放射出的两个光电子核素或其他原子特定特性电子核素的强度来确定所述厚度。为每个光电子核素确定关于层的厚度的预测强度函数。形成两个预测强度函数的比值，对该比值进行迭代以确定所述结构的层的厚度。根据一个实施例，可以通过测量来自单个层的两个光电子核素来确定该层的厚度。根据另一个实施例，可以通过测量来自不同层或来自基片的两个光电子核素来确定层的厚度。
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公开(公告)号：CN102016525A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116526.3
申请日：2009-05-07
申请人： 恪纳腾公司
CPC分类号： H01J37/244 , G01N2223/079 , G01N2223/086 , G01N2223/33 , H01J37/256 , H01J2237/24495 , H01J2237/2511 , H01J2237/2807
摘要： 具有电子束生成器的谱仪，所述电子束生成器用于生成被导向试样的电子束。电子束定位器将所述电子束引导至所述试样上的适当位置上，并且从而产生来自所述试样的二次发射流，其中所述二次发射流包括电子和X射线中的至少一种。二次发射流定位器将所述二次发射流定位到检测器阵列上，所述检测器阵列接收所述二次发射流并且检测所述二次发射流的量和被接收到的位置两者。调制器调制被引导至所述试样上的所述电子束，并且从而在所述试样上的第一位置和第二位置之间扫描所述电子束。提取器与所述调制器和所述检测器阵列两者信号通信。
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公开(公告)号：CN101228609A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680023949.7
申请日：2006-04-19
申请人： 瑞沃瑞公司
发明人： B·许勒尔
IPC分类号： H01J40/00
CPC分类号： G01B15/02 , H01J2237/2511 , H01J2237/2522 , H01J2237/2814
摘要： 根据本发明的一个实施例，使用光电子能谱来确定基片上的单个或多个层结构中的一个或多个层的厚度。可以通过测量当使用光子轰击时由所述结构所放射出的两个光电子核素或其他原子特定特性电子核素的强度来确定所述厚度。为每个光电子核素确定关于层的厚度的预测强度函数。形成两个预测强度函数的比值，对该比值进行迭代以确定所述结构的层的厚度。根据一个实施例，可以通过测量来自单个层的两个光电子核素来确定该层的厚度。根据另一个实施例，可以通过测量来自不同层或来自基片的两个光电子核素来确定层的厚度。
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