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公开(公告)号：CN114077009B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110677479.2
申请日：2021-06-18
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 光波导器件。一种光波导器件，该光波导器件包括：中间层、包括X‑切割铌酸锂的薄膜LN层和缓冲层，该中间层、包括X‑切割铌酸锂的该薄膜LN层和该缓冲层层叠在基板上；光波导，该光波导形成在所述薄膜LN层中；以及电极，该电极用于驱动。所述中间层由上部的第一中间层和下部的第二中间层形成，所述第二中间层的介电常数小于所述第一中间层的介电常数。
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公开(公告)号：CN117331168A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310637096.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
Abstract: 本发明涉及一种光器件和光通信装置。光器件包括并排布置的两个第一波导、以及被布置成与第一波导并排且分离的单个第二波导。第一波导包括第一锥形波导和第二锥形波导。第二波导包括第三锥形波导和第三波导。第一锥形波导被构成为使得宽度随着第一锥形波导靠近第二锥形波导而变宽。第二锥形波导被构成为使得宽度随着第二锥形波导远离第一锥形波导而变窄。第三锥形波导被构成为使得宽度随着第三锥形波导靠近第三波导而变宽。第一波导具有被构成为使得两个第一波导之间的第一间隙比两个第一波导之间的第二间隙宽的结构。
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公开(公告)号：CN117080857A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310538217.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 羽鸟伸明
Abstract: 一种光半导体装置包括：第一光器件，其形成在硅基板上且具有第一表面；以及第二光器件，其包括化合物半导体，安装在第一光器件上，并且具有面向第一表面的第二表面。第一光器件包括朝向第二表面突出的第一突出部，并且第二表面的一部分与第一突出部接触。在平面图中，第一突出部位于第二光器件的外边缘的内侧。
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公开(公告)号：CN116909042A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310202491.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
IPC: G02F1/01
Abstract: 本申请涉及光调制器、移相器和光通信装置。一种光调制器包括第一移相器和第二移相器。第一移相器包括第一光穿过的第一光波导以及使根据驱动电压的电力作用于第一光波导的第一电极。第一移相器根据施加到第一电极的驱动电压，对穿过第一光波导的第一光进行移相。第二移相器包括第二光穿过的第二光波导以及使根据驱动电压的电力作用于第二光波导的第二电极。第二移相器根据施加至第二电极的驱动电压，对穿过第二光波导的第二光进行移相。第二移相器被构成为相比于第一移相器，根据预定量的驱动电压具有更小的相移量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116804805A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310165739.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
Abstract: 本申请涉及光器件、光调制器及光通信设备。一种光器件包括槽波导和含有平行于槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极。此外，光器件包括各自以分离状态插入到槽波导中所提供的槽中的多个电光聚合物、以及设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中并且电连接接地电极与另一接地电极的桥接件。
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公开(公告)号：CN115728969A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210883548.X
申请日：2022-07-26
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
Abstract: 本申请涉及光器件和光通信装置。一种光器件包括作为由薄膜铌酸锂LN基板形成的薄膜LN晶体的肋状光波导以及层压在光波导上的缓冲层。光器件还包括层压在缓冲层上的电极以及与电极平行布置在缓冲层上并且根据通电而吸引光波导中的电荷的子电极。
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公开(公告)号：CN115642191A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210638682.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 下山峰史
IPC: H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/109 , H01L27/144
Abstract: 本申请涉及半导体光电检测器、接收器和集成光器件。所公开的半导体光电检测器包括：第一半导体层，其具有第一折射率和第一带隙；第二半导体层，其形成在第一半导体层上，第二半导体层具有第二折射率和第二带隙；第一电极；以及第二电极。第二折射率大于第一折射率，以及第二带隙小于第一带隙。第一半导体层包括：p型第一区域、n型第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的非导电第三区域。第二半导体层包括：与第一电极欧姆接触的p型第四区域、与第二电极欧姆接触的n型第五区域、以及位于第四区域和第五区域之间的非导电第六区域。
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公开(公告)号：CN115118343A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210196518.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 石川智久
IPC: H04B10/50 , G02F1/01 , H04B10/516 , H04B10/54 , H04B10/60
Abstract: 本申请涉及调制信号的控制装置及方法。调制信号的控制装置生成高侧信号和低侧信号。高侧信号在从通过已调制光的光电转换所获得的监测信号的AC分量的极性为正或者其幅度为零时取与AC分量的电平相对应的电平。高侧信号还在AC分量的极性为负时取恒定电平。低侧信号在AC分量的极性为正时取恒定电平。低侧信号还在AC分量的极性为负或其幅度为零时取与AC分量的电平相对应的电平。然后，控制装置基于高侧信号所取的电平中的绝对值的最大值和低侧信号所取的电平中的绝对值的最大值，调整调制信号的电平。
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公开(公告)号：CN114924432A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210012498.8
申请日：2022-01-06
Applicant: 富士通光器件株式会社
Inventor： 杉山昌树
Abstract: 光学器件和使用该光学器件的光学收发器。一种光学器件包括基板、设置在所述基板上并包括顺序堆叠的中间层、由具有电光效应的薄晶体膜形成的光波导和缓冲层的分层结构以及设置在所述缓冲层上或所述缓冲层上方并向所述光波导施加直流电压的电极。所述中间层的电阻率高于所述缓冲层的电阻率。
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