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公开(公告)号：CN103066587A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210537281.5
申请日：2012-12-13
申请人： 国网智能电网研究院 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 上海市电力公司 , 国家电网公司
CPC分类号： H02M2007/4835
摘要： 本发明提供的一种模块化多电平柔性直流系统的优化配置方法，包括步骤有：（1）配置双极拓扑结构的换流器；（2）根据双极拓扑结构的换流器配置电容能量平衡电流的通路；（3）计算子模块的输出电压设定值，通过所述通路，根据输出电压设定值控制子模块，用于实现电容能量平衡。本发明使用元器件数量少，价格便宜，易于实现高压大容量架空线传输结构，其平衡策略可有效实现电容能量平衡。
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公开(公告)号：CN102914008A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210410859.0
申请日：2012-10-24
IPC分类号： F24F5/00
摘要： 本发明涉及一种收集车辆闲散动能并转换用来冷却空气的装置，该装置包括集能器、保护罩、第一单向阀、管道、挥发器、回收器及第二单向阀，集能器内部储存有液体，集能器的主体位于地基内，顶端凸出路面，保护罩覆盖在集能器凸出路面的部分上并固定在路面上，当有车辆碾压保护罩时，压力使集能器中的液体流经第一单向阀，并从管道中流出分布在挥发器上，多余的液体滴到回收器中回收，并继续在管道中流动，流经第二单向阀，回归到集能器内，形成一个回路，挥发器上液体的挥发将周围空气冷却。与现有技术相比，本发明具有高可靠性、结构简单、生产成本低、工艺、工程兼容性好、对现有路基路面破坏性小、不会对车辆行驶造成不适等特点。
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公开(公告)号：CN203607393U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320689584.9
申请日：2013-11-04
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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公开(公告)号：CN203562430U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320678868.8
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；本实用新型中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本实用新型在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN203800056U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320713738.3
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本实用新型加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN203687298U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201420042286.5
申请日：2014-01-23
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国电南瑞科技股份有限公司 , 东南大学
发明人： 苏义荣 , 赵仰东 , 丁孝华 , 吴琳 , 柳劲松 , 张晓燕 , 王丙文 , 时珊珊 , 王双虎 , 包海龙 , 吴俊兴 , 刘隽 , 杨文 , 徐久荣 , 席旸旸 , 谢琳 , 田小东 , 沈兵兵 , 刘元园 , 郁洁 , 周赣
IPC分类号： F24F11/02
摘要： 本实用新型公开了电制冷冷水机组中央空调的能耗监测系统，其特征在于，包括电能表，与电能表相连的冷水机组子系统、冷冻水子系统、冷却水子系统、空调末端子系统、监视器，所述监视器还分别与流量传感器模块和温度传感器模块相连，所述流量传感器模块还分别与冷冻水子系统和冷却水子系统相连，所述温度传感器模块还分别与冷冻水子系统和冷却水子系统相连。工作人员根据监视器显示的能耗情况，可以快速、精确的对中央空调系统实现节能控制或改造，降低中央空调系统的能耗。
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公开(公告)号：CN203607417U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320677023.7
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本实用新型提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN203589041U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320677202.0
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少；在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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公开(公告)号：CN203562431U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320705065.7
申请日：2013-11-08
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本实用新型通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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