-
公开(公告)号：CN103715195B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310736928.1
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/285 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。
-
公开(公告)号：CN104298294B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310306045.7
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种带有修调的高阶曲率补偿基准电压源。该高阶曲率补偿基准电压源至少包括：用于基于晶体管及电阻来产生一阶补偿电流的第一电流产生电路；包括第一可调电阻网络且与所述第一电流产生电路串联以便产生参考电压的第一电阻电路；用于产生高阶补偿电流至所述第一电阻电路以实现曲率补偿的曲率补偿电路；以及包括第二可调电阻网络且用于对所述参考电压进行分压以输出基准电压的第二电阻电路。本发明能使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值，显著提高电压基准源的精度。
-
公开(公告)号：CN103021864B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210533276.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离，自上述第一窗口进行N型离子注入；退火；提供一横向设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，形成间隔的P柱和N柱；且P柱不和漏端相连。本发明超结区的高浓度可以保证器件具备较低的开态电阻，RESURF区可以保证器件具备较高的耐压，改善了器件耐压和开态电阻之间的折衷关系，同时还可以降低器件耐压对于电荷不平衡的敏感度，提高器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN102569070B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210075130.2
申请日：2012-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/334
Abstract: 本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体在Si表面生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长HfLaO介质薄膜，并原位对所述HfLaO介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。采用氯苯溶液对光刻胶进行处理，可以修饰掉光刻胶边缘的毛刺使得后面的金属举离工艺更简单而精确。采用本方法制备的MIS电容有利于减少附加界面层的数量、减薄的界面层厚度和降低界面层的粗糙度，有利于抑制衬底和薄膜之间的元素扩散及减小等效栅氧厚度，有效的提高MIS电容的电学性能。
-
公开(公告)号：CN104599975A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510072456.3
申请日：2015-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/339 , H01L29/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/762 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明提供一种基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法，所述负微分电阻器件包括：衬底；AlGaN/GaN异质结平台，位于所述衬底之上；欧姆接触电极，位于所述AlGaN/GaN异质结平台外围，退火后与AlGaN/GaN界面的二维电子气（2DEG）接触；绝缘层，位于所述AlGaN/GaN异质结平台之上；栅金属层，位于所述绝缘层之上；钝化层，覆盖于器件表面，并于所述欧姆接触电极及栅金属层对应位置具有开孔。本发明的结构中，肖特基发射电流被抑制，隧穿电流占总电流的主导，结合电子在GaN材料中的转移特性，使得I-V曲线呈现出负微分电阻效应。在低温下，这种效应进一步放大，电流峰谷比在-50℃时能达到3，相比传统的TED较高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104298294A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310306045.7
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种带有修调的高阶曲率补偿基准电压源。该高阶曲率补偿基准电压源至少包括：用于基于晶体管及电阻来产生一阶补偿电流的第一电流产生电路；包括第一可调电阻网络且与所述第一电流产生电路串联以便产生参考电压的第一电阻电路；用于产生高阶补偿电流至所述第一电阻电路以实现曲率补偿的曲率补偿电路；以及包括第二可调电阻网络且用于对所述参考电压进行分压以输出基准电压的第二电阻电路。本发明能使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值，显著提高电压基准源的精度。
-
公开(公告)号：CN102623345B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210076934.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状N区，且各该岛状N区由P型源区朝P型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状N区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。
-
公开(公告)号：CN102593007B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210076796.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多P岛N沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的N型漂移区，位于所述N型漂移区一侧的P型体区，以及位于所述N型漂移区另一侧上的N型漏区，其中，所述N型漂移区中形成有多个互相间隔且平行排列的岛状P区，且各该岛状P区由N型源区朝N型漏区方向线性变小，由于在高压下衬底辅助耗尽效应作用从源端到漏端依次增强，因此岛状P区相应地从源端到漏端方向上由大变小，以实现和衬底辅助耗尽效应作用互补抵消，最终达到电荷平衡的目的。
-
公开(公告)号：CN103021864A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210533276.7
申请日：2012-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距离所述漂移区左侧具有一定距离，自上述第一窗口进行N型离子注入；退火；提供一横向设有若干第二窗口的第二掩膜版；自该第二窗口向所述N型漂移区进行P型离子注入，形成间隔的P柱和N柱；且P柱不和漏端相连。本发明超结区的高浓度可以保证器件具备较低的开态电阻，RESURF区可以保证器件具备较高的耐压，改善了器件耐压和开态电阻之间的折衷关系，同时还可以降低器件耐压对于电荷不平衡的敏感度，提高器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN102760657A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210265019.X
申请日：2012-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影响，并且在高k栅介质薄膜形成后利用氧等离子体原位后处理提高了高k薄膜的致密度和薄膜质量。同时，本发明在InP衬底上制备稳定的性质优良的高k栅介质薄膜基础上，并成功制作MIS电容结构，为后面验证高k栅介质薄膜的电学性能提供了基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
161
records
(took 0.061 seconds)
