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公开(公告)号：CN114638107A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210279430.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置，包括：定义待刻蚀对象的结构信息，待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围；根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；向待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。
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公开(公告)号：CN114464574A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111618101.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法。一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法，包括下列步骤：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域用于形成PMOS管，所述NMOS区域用于形成NMOS管；在所述PMOS区域和所述NMOS区域形成鳍片；在所述鳍片间填充隔离材料，形成浅沟槽隔离；在所述浅沟槽隔离中刻蚀出沟槽；在所述沟槽内掩埋电源线。进行后续工艺。本发明在浅沟槽隔离中预先掩埋电源线，避免了后制程中金属线过于拥挤导致的宽度受限、光刻工艺窗口小、电流短路、散热差等问题，进而缩小了标准单元面积，提高了性能。
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公开(公告)号：CN110739206B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911021383.X
申请日：2019-10-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L29/10
Abstract: 本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度差减小，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成包括多个绝缘条的第一绝缘层；所有绝缘条中宽度最小的绝缘条为第一绝缘条、其余绝缘条为第二绝缘条；在第一绝缘层背离衬底一侧形成刻蚀保护层；沿第二方向，刻蚀保护层露出至少部分第二绝缘条的一侧边沿；对第一绝缘层进行部分刻蚀；在第二绝缘层背离衬底一侧形成第三绝缘层；去除第二绝缘层，并依次在第三绝缘层背离衬底一侧沉积阻挡薄膜和辅助平坦薄膜；对辅助平坦薄膜进行刻蚀，形成辅助平坦层；利用辅助平坦层作为硬掩模，对阻挡薄膜进行刻蚀，形成阻挡层。
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公开(公告)号：CN113990742A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111228704.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用第一波长的光对光刻涂层进行曝光，待引出结构被光刻涂层进行反射，将待引出结构作为掩模成像至光刻膜层的第一区域，利用第二波长的光和掩模对光刻涂层进行曝光，将掩模的图形成像至光刻膜层的第二区域，第一区域与第二区域重叠的区域为引出区域，引出区域对应待引出结构，实现待引出结构的图层与接触孔所在图层的自对准，只有两次曝光在光刻膜层成像的重叠区域才会对应待引出结构，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。
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公开(公告)号：CN113985709A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111248125.2
申请日：2021-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法及装置，涉及半导体制造领域。方法包括：基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定光源的理论点扩展函数；基于点映射图形确定点映射图形的多个横向点宽值；基于理论点扩展函数和多个横向点宽值，分别确定多个横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于衰减常数和实际点扩展函数确定线图形的实际线扩展函数；基于线边缘粗糙度改变值、线图形的曝光剂量、近场光刻胶对比度和线图形的图形对数斜率关系确定等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式，本发明中所提出的线边缘粗糙度的解析方法极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113985705A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111209569.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种快速实现光刻系统精密校准的光学方法及装置，涉及光学领域。快速实现光刻系统精密校准的光学方法包括：基于聚焦元件开口处的点光源场强分布数据，确定所述点光源的点宽拟合关系；基于所述点光源的点宽拟合关系，确定在光学显微镜下所述点光源的点宽与光刻胶的曝光参数之间的第一对应关系；基于所述光刻胶表面的点映射图形的光学显微图像，确定所述点光源的第一点宽数据集；基于所述点光源的第一点宽数据集，确定所述点光源的点宽与光刻胶的曝光参数之间的第二对应关系；当所述第一对应关系和所述第二对应关系满足预设条件时，利用所述第一对应关系确定所述光刻胶的曝光参数，可以快速的获取曝光参数，及时的对曝光参数进行测量。
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公开(公告)号：CN113887028A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111093533.5
申请日：2021-09-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备，涉及微电子技术领域。刻蚀仿真模型的确定方法，方法包括：根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布，确定当前时刻衬底表面上各个位点的刻蚀速率，得到一维刻蚀速率数据集；基于各个位点的坐标，将一维刻蚀速率数据集转换为二维刻蚀速率数据集；将二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据拓展至平面，确定拓展刻蚀速率数据集；基于拓展刻蚀速率数据集以及水平集函数，确定当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集；至少基于当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，确定刻蚀仿真模型，对刻蚀速率进行拓展，从衬底表面至衬底内部，保证刻蚀过程模拟中的数值稳定性和所建立的目标仿真模型的准确定和可靠性。
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公开(公告)号：CN110620057B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910861907.X
申请日：2019-09-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维器件的套刻误差补偿方法，包括在测量晶圆套刻标识之间的第一套刻误差的基础上，再测量晶圆翘曲高度，并以第一套刻误差作为基准坐标，基于基准坐标和晶圆翘曲高度构造高度轮廓图；对高度轮廓图进行特征分析，获取高度曲面轮廓数据；基于套刻标识的图层信息和高度曲面轮廓数据进行计算，得到第二套刻误差；第一套刻误差减第二套刻误差，得到修正数据，基于修正数据补偿采用传统套刻测量方法测量出的套刻误差，解决了由于晶圆形变和翘曲所导致的高度差带来的套刻误差。本发明还提供了一种三维器件的套刻误差补偿系统，通过加入激光测距单元，能够准确测量晶圆翘曲高度，实现对现有套刻测量系统的修正和性能提升。
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公开(公告)号：CN109712871B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811614851.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供衬底；步骤S2，在衬底的表面上形成诱导结构；步骤S3，在衬底的裸露表面设置第一嵌段共聚物层，对第一嵌段共聚物层进行第一次加热，形成包括第一预嵌段和第二预嵌段的第一预分相结构层；步骤S4，在第一预分相结构层的远离衬底的表面上形成多个第二分相结构层；步骤S5，至少依次去除第四嵌段、第二嵌段以及部分衬底，形成具有预定图案的上述衬底；步骤S6，至少去除剩余的衬底上方的第一嵌段、第三嵌段以及诱导结构。该制作方法进行了两次分相工艺，制作得到的结构的缺陷较少，均匀性较好且边缘粗糙度较小。
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公开(公告)号：CN110610871B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910773596.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种金属栅温度测量方法，包括如下步骤：构建测量结构；其中，测量结构包括金属栅，与金属栅连接的掺杂鳍，以及与掺杂鳍一端连接的参考金属线；测量参考金属线的电阻值，并根据电阻值获得参考金属线的温度值；测量金属栅和掺杂鳍的连接处，与参考金属线之间的电压差值；获取掺杂鳍对应的塞贝克系数，并根据电压差值，采用塞贝克公式计算金属栅和掺杂鳍的连接处，与参考金属线之间的温度差值；根据参考金属线的温度值，以及金属栅和掺杂鳍的连接处，与参考金属线之间的温度差值，计算得到金属栅的温度值，从而能够解决随着金属栅尺寸减小而不能够获取金属栅温度的问题。
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