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公开(公告)号：CN104460224B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410499396.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
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公开(公告)号：CN106094450A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610272230.2
申请日：2016-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法。通过将抗蚀剂组合物涂布到基材上，烘焙，将该抗蚀剂膜曝光，PEB，和在有机溶剂显影剂中显影，从而形成图案。该抗蚀剂组合物包括(A)PPD抑制剂、(B)适于在酸的作用下改变其在有机溶剂中的溶解性的聚合物、(C)光致产酸剂、和(D)有机溶剂。该抗蚀剂组合物确保以一致的方式形成图案，同时抑制起因于从PEB到显影的延迟的任何CD收缩和图案轮廓变化。
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公开(公告)号：CN105676591A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510893730.3
申请日：2015-12-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供收缩材料，其包括包含式(1)的重复单元的聚合物和含有抗消失性溶剂的溶剂。通过将包含基础树脂和产酸剂的抗蚀剂组合物涂布到基材上以形成抗蚀剂膜、曝光、在有机溶剂显影剂中显影以形成负型抗蚀剂图案、将该收缩材料涂布到该图案上和用有机溶剂将过量的收缩材料除去以由此使该图案中的孔和/或狭缝的尺寸收缩，从而形成图案。
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公开(公告)号：CN102516453B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110316698.4
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/36 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F232/08 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F12/26 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F220/36 , C09D125/18 , G03F1/50 , G03F7/0045 , C08F212/12
Abstract: 提供了包含侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的聚合物。当使用该聚合物配制化学增幅负抗蚀剂组合物并通过光刻加工时，可以形成具有改善的LER和高分辨率优点的精细抗蚀剂图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102516181B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110293953.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D239/10 , C08F212/14 , C08F220/36 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F26/06 , G03F7/2059
Abstract: 提供了一种式(1)的单体，其中R1是氢或者单价的C1-C6烃基，并且R2是具有聚合官能性的基团。使用该单体，能够将交联单元引入到聚合物链中。包括具有在其中引入交联单元的基础聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物具有高敏感性并且形成具有最小化的LER的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN102096321B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010568163.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN104520383A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380029643.2
申请日：2013-06-21
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: C08L79/02
CPC classification number: G03F7/2059 , C08G73/0266 , C08L25/18 , C08L79/02 , C08L79/08 , C09D179/08 , G03F7/11 , G03F7/38 , H01B1/128 , C09D179/02
Abstract: 水分散性组合物包括：具有至少30,000的重均分子量的聚苯胺共聚物，和包含磺酸基团的聚合物型酸。所述聚苯胺共聚物包括i)基于所述聚苯胺共聚物中的重复单元的总摩尔数的约10摩尔％-约15摩尔％的含氟第一苯胺重复单元，和ii)不含氟的第二苯胺重复单元。所述聚合物型酸的磺酸基团以大于或等于所述聚苯胺共聚物的重复单元的总摩尔数的摩尔量存在。所述组合物具有至少0.0001S/cm的电导率。
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公开(公告)号：CN104330955A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410505727.5
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
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公开(公告)号：CN104199255A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410471281.9
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/038
Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
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