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公开(公告)号：CN104576326A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02546 , H01L21/02612
Abstract: 本发明提供一种硅基III-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III-V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104016294A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
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公开(公告)号：CN103489936A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210195543.4
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/02325
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种并联多微环光波导探测器。所述探测器包括：滤波腔、由跑道型波导以及探测器芯片组成的探测腔，所述滤波腔由多个等间距设置的微环谐振器并联组成，所述跑道型波导将通过所述滤波腔的下路光信号传输给所述探测器芯片。本发明提出的并联多微环光波导探测器，通过简单的结构设计可以获得光探测器的平顶陡边的响应曲线、具有较宽的自由光谱区域，从而降低了在波分复用系统中光发射端激光器波长的准确性和稳定性要求。本发明同时具有一般光波导探测器易于大规模集成、高响应速度、高量子效率等优点。
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公开(公告)号：CN103050564A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210564670.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向排列；位于上一节的径向pn结的材料的带隙宽度比位于下一节的径向pn结的材料的带隙宽度大；重掺杂隧道结，位于二节径向pn结之间；电介质薄膜，包裹于径向pn结和重掺杂隧道结的外侧；衬底，位于所述器件的底层；透明电极，位于所述器件的顶层；背电极，位于衬底的底面。本发明提供的技术方案充分结合了纳米线径向pn结高的转化效率和轴向多节结构宽的吸收光谱的优点，进一步提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN100587908C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001%～20%。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101281856A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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公开(公告)号：CN1170306C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01120076.6
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/306 , G02B6/136
Abstract: 本发明涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于，在外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层，然后置于HF/CrO3系选择性腐蚀液中，实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出，腐蚀液选用HF/CrO3系腐蚀液，通过调节腐蚀液的组分，可以大范围内调节其选择性，进而实现大范围内调节楔形结构的倾角。
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公开(公告)号：CN1165086C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔，由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层，用来进行光电转换，即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线，同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN1450381A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03128708.5
申请日：2003-04-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 一种石英及玻璃材料中二阶极化率产生与增强的新方法，其特征在于：稀土离子掺杂的石英及玻璃材料、载氢、紫外曝光、退火；本发明适用于光纤、薄膜、熔融块状体等各种结构的稀土离子掺杂石英及玻璃材料，特别适用于石英光纤；工艺简单，成本低，产生的二阶极化率效率高，可控制性好，重复性好，技术稳定可靠。
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公开(公告)号：CN1118877C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN99109808.0
申请日：1999-07-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144 , H01S5/00 , G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件和其实现方法，特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件和其实现方法。本发明其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。本发明所提出的非平行腔半导体光波与光电子器件结构将成为半导体器件实现的一种新的基本结构，其作用就如同光元件中的光栅与棱镜结构或电路系统中的电容与电感一样，势必将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而久远的影响。
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