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公开(公告)号：CN105044988B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510515662.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1335 , G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种液晶偏振转换器、制备方法和矢量光控取向系统，所述液晶偏振转换器包括：相对设置的第一基板和第二基板，位于第一基板和第二基板之间的液晶层；支撑液晶层的间隔粒子；第一基板和第二基板近邻液晶层的一侧设置有光控取向膜，第一基板的光控取向膜的分子指向矢方向均一排布，第二基板的光控取向膜中至少一个设定区域的分子指向矢方向渐变分布且呈中心对称，以使照射在液晶偏振转换器的线偏振入射光转换为矢量光束。本发明提供的液晶偏振转换器，可以产生多种模式的矢量光束，并且该液晶偏振转换器的结构简单，可适用于宽波段。
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公开(公告)号：CN104932170B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510255999.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种液晶叉形偏振光栅以及制备方法，所述液晶叉形偏振光栅包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和第二基板的液晶层；其中，所述第一基板上设置有间隔粒子，以支撑所述液晶层；所述第一基板和第二基板近邻所述液晶层的一侧分别设置有第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极近邻所述液晶层的一侧设置有光控取向膜，所述光控取向膜具有分子指向矢方向呈周期性渐变分布且中心区域呈叉形的控制图形，所述光控取向膜的控制图形控制液晶层中的液晶分子指向矢呈周期性渐变分布，以使照射在液晶叉形偏振光栅的入射光转换为涡旋光，本发明提供的液晶叉形偏振光栅相比于现有技术中的叉形光栅，衍射效率显著提高。
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公开(公告)号：CN106501986A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610937447.0
申请日：2016-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1337 , G02B27/09 , G02B27/28
CPC classification number: G02F1/1334 , G02B27/0927 , G02B27/286 , G02F1/133788
Abstract: 本发明公开了一种光学功能化薄膜、其制备方法及光路系统和光束整形方法。所述光学功能化薄膜包括光学透明衬底(11)和设置在光学透明衬底(11)一面的液晶聚合物薄膜(12)，液晶聚合物薄膜(12)中液晶聚合物的分子具有预设指向；所述光学功能化薄膜的制备方法包括如下步骤：在透明基板上形成光控取向膜并使其取向、旋涂液晶聚合物前体溶液、退火、紫外光照射、转移液晶聚合物薄膜至光学透明衬底上；所述光路系统包括依次层叠的至少两个光学功能化薄膜；所述光束整形方法为使用光路系统，对光束的波前进行操控，以产生设定光束。本发明提供的光路系统体积小，质量轻，应用范围广泛且具有可重构的优点。
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公开(公告)号：CN106230774A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610554455.7
申请日：2016-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: H04L29/06
CPC classification number: H04L63/20
Abstract: 本发明提供一种自动处理语义冲突的SeLinux策略模块合并方法，包括如下步骤：1)规则信息提取阶段：a.输入新旧SeLinux策略模块源代码文件；b.锁定规则关键词；c.依据规则依赖关系多遍扫描提取规则信息；d.结束。2)规则合并阶段：a.输入格式化的规则信息数据；b.合并元规则；c.消除转移规则语义歧义；d.处理访问向量规则冲突；e.合并安全上下文规则；f.结束。在应用SeLinux模块对操作系统安全管理目标增加新的安全需求时，本发明自动处理新增SeLinux策略模块与原策略模块之间的语义冲突，为迭代开发SeLinux策略模块提供了新的解决方案。避免了直接分析原策略模块中的复杂规则关系，对结构复杂，耦合度高的原策略模块语义进行了规避。
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公开(公告)号：CN105206727A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104977757A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510362190.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788
Abstract: 本发明公开了一种偏振艾里液晶模板、制备方法和产生系统，偏振艾里液晶模板包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；其中，第一基板与第二基板之间设置有间隔粒子，以支撑所述液晶层；第一基板和第二基板近邻所述液晶层的一侧设置有光控取向膜，光控取向膜具有分子指向矢方向呈周期性渐变分布的立方相位控制图形，立方相位控制图形每个周期的宽度从控制图形的中心区域向两边逐渐递减，光控取向膜的控制图形控制所述液晶层中的液晶分子指向矢呈周期性0°-180°渐变分布，以使照射在偏振艾里液晶模板的入射光转换为艾里光束，提高偏振艾里液晶模板的激光损伤阈值和强光条件下的偏振艾里液晶模板的稳定性。
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公开(公告)号：CN104932170A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510255999.9
申请日：2015-05-19
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/292 , G02F1/1337 , G02F1/133788 , G02F2001/133742 , G02F2001/133776 , G02F2201/305
Abstract: 本发明公开了一种液晶叉形偏振光栅以及制备方法，所述液晶叉形偏振光栅包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和第二基板的液晶层；其中，所述第一基板上设置有间隔粒子，以支撑所述液晶层；所述第一基板和第二基板近邻所述液晶层的一侧分别设置有第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极近邻所述液晶层的一侧设置有光控取向膜，所述光控取向膜具有分子指向矢方向呈周期性渐变分布且中心区域呈叉形的控制图形，所述光控取向膜的控制图形控制液晶层中的液晶分子指向矢呈周期性渐变分布，以使照射在液晶叉形偏振光栅的入射光转换为涡旋光，本发明提供的液晶叉形偏振光栅相比于现有技术中的叉形光栅，衍射效率显著提高。
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公开(公告)号：CN101752430B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN101217175B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n-GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1-xN阱层和InyGa1-yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1-10个周期；顶层氮化物，GaN或p-GaN，所述的顶层氮化物厚0.02-2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360-900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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公开(公告)号：CN101752430A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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