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公开(公告)号：CN113782505B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111123106.7
申请日：2021-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/373 , H01L21/18 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种金刚石散热片的表面平滑化及连接方法，涉及金刚石散热片的连接方法。本发明要解决利用纳米/微米金属烧结技术键合时，大尺寸连接存在压力过大对器件的可靠性影响大，若无压烧结则只能实现小尺寸连接，且烧结层孔隙率大，严重影响其导热性和可靠性的问题，解决利用原子扩散键合技术键合时，存在对金刚石材料表面粗糙度要求高，需要超真空，金刚石和硅片镀完金属层后未及时压合会导致键合效果不佳的问题。方法：一、沉积过渡层金属/金复合金属镀层；二、涂覆纳米金属浆料并热压烧结键合；三、模板剥离并保留金刚石上金属层；四、表面活化清洗；五、键合。本发明用于金刚石散热片的表面平滑化及连接。
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公开(公告)号：CN114757940A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210550413.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 单晶金刚石表面缺陷自动识别与修复方法，本发明的目的是为了解决现有MPCVD法进行单晶金刚石制备过程中，由于工艺不合理导致金刚石表面产生宏观缺陷，从而影响其性能、增加产品成本等问题。自动识别与修复方法：一、对含缺陷的单晶金刚石图像进行扩展；二、基于卷积神经网络对单晶金刚石图像进行训练；三、将含有缺陷的单晶金刚石样品水平放置在平台上，通过检测相机采集单晶金刚石样品图像，利用训练后的卷积神经网络模型识别出单晶金刚石缺陷；四、通过激光器切割去除单晶金刚石缺陷；五、切割缺陷后的单晶金刚石横向生长。本发明基于卷积神经网络模型识别单晶金刚石缺陷，激光切割去除缺陷后，再次进行生长，实现单晶金刚石缺陷的修复。
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公开(公告)号：CN114695287A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011627346.6
申请日：2020-12-31
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114605696A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210356731.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备方法，它涉及复合隔热气凝胶的制备方法。本发明要解决纯二氧化硅气凝胶无法同时兼具优异的隔热性能、力学性能、热稳定性能和疏水性的问题。制备方法：一、制备内部结构均一的羟基化芳纶纳米纤维水凝胶基体；二、在芳纶纳米纤维凝胶内部构建二氧化硅凝胶体系；三、两步干燥法制备二氧化硅/芳纶纳米纤维复合气凝胶。本发明用于二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备。
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公开(公告)号：CN114411250A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210072423.9
申请日：2022-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MPCVD单晶金刚石拼接生长方法，本发明为了解决拼接单晶金刚石材料接缝难处理、拼接接缝性质较差的问题。拼接生长方法：一、将多个单晶金刚石籽晶放置于籽晶托盘的方形籽晶垫片上；二、通入氢气并启动微波发生器产生等离子体；三、向反应舱内通入氧气和氩气，保持籽晶温度为1000‑1200℃，进行刻蚀处理；四、将预刻蚀处理后的单晶金刚石籽晶刻蚀面朝上放置于生长样品托盘上；五、通入氢气并启动微波发生器产生等离子体；六、促进金刚石籽晶边缘刻蚀台阶区域的横向生长连接，完成单晶金刚石拼接生长。本发明通过生长前的特殊预刻蚀工艺强烈刻蚀单晶金刚石籽晶四周边缘，形成微观台阶形貌区域，为拼接金刚石接缝处提供有利生长条件，提高接缝处生长品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114250511A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111603967.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 宜昌中碳未来科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MPCVD单晶金刚石表面缺陷修复生长方法，本发明是针对MPCVD单晶金刚石生长过程中表面缺陷难以去除、降低生长层晶体品质的问题。缺陷修复生长方法：一、采用激光加工的方法将单晶金刚石籽晶表面的缺陷区域切除，形成方形凹坑；二、金刚石籽晶放置于管式炉中高温处理；三、采用掩膜的方法，在凹坑内填充生长单晶铱；四、将镀铱的金刚石籽晶转移到生长设备中，点燃等离子体；五、控制生长气压、金刚石籽晶温度和甲烷含量，施加直流偏压，促进异质外延单晶铱表面的高密度形核生长；六、进行MPCVD单晶金刚石的同质外延生长。本发明通过电子束蒸发在缺口区域镀单晶铱，消除原有缺陷的影响，得到高品质的单晶金刚石外延生长层。
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公开(公告)号：CN114232086A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111603964.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 宜昌中碳未来科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法，本发明目的是为了解决MPCVD单晶金刚石同质外延生长方法中含裂纹籽晶生长易碎裂问题。生长方法：一、在正交偏振光下单晶金刚石籽晶裂纹影响区域呈现黑色；二、采用激光切割去除裂纹影响区域，形成矩形缺口；三、清洗籽晶；四、将清洗过的籽晶放置于管式炉中退火处理；五、将退火后的籽晶放置于MPCVD设备中，控制舱内气压、微波功率和籽晶温度，通入甲烷和氮气使单晶金刚石横向生长并填充矩形缺口；六、进行MPCVD单晶金刚石的垂直外延生长。本发明能够对缺口侧面进行有效处理并促进横向生长，使得含裂纹籽晶也能够被用于高品质单晶生长，减少了籽晶的浪费并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114134566A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110732256.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/04 , C30B25/18 , C30B25/12 , C23C14/30 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 提高金刚石异质外延形核均匀性的方法，本发明属于异质外延单晶金刚石制备领域，它为了解决常规BEN工艺下偏置电流水平较低，导致金刚石异质外延形核的均匀性较差的问题。提高形核均匀性的方法：一、在衬底上沉积Ir薄膜，然后在退火后的复合衬底的背面和侧面沉积金膜；二、用直流偏压增强形核工艺在样品托上沉积金刚石薄层；三、通入氢气，激活等离子体，通入甲烷气体，控制甲烷的体积分数，开启直流偏压电源，进行偏压增强形核，然后降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长，直至生长结束。本发明使得异质外延所形核所需要的含碳粒子扩散会更加快速，有效避免了形核聚集发生在个别区域，使形核发生位置分布更为分散均匀。
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公开(公告)号：CN112795883A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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公开(公告)号：CN110629203B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910925317.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , C01B32/28 , G01N27/327 , G01N27/48
Abstract: 一种具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及其检测葡萄糖的应用，它涉及一种多孔掺硼金刚石复合电极的制备方法及应用。本发明要解决现有不存在制备多孔掺硼金刚石复合电极的方法，现有利用掺硼金刚石电极非酶葡萄糖传感器检测葡萄糖灵敏度较低的问题。制备方法：一、掺硼金刚石薄膜的制备；二、溅射镀膜及退火处理。应用：用于检测葡萄糖。本发明用于具有双金属协同效应的多孔掺硼金刚石复合电极的制备及其检测葡萄糖的应用。
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