-
公开(公告)号：CN112997235B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201980073880.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/131 , H01L29/786 , H05B33/02 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。
-
公开(公告)号：CN107683531B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201680029379.6
申请日：2016-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L21/34
Abstract: 提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
-
公开(公告)号：CN114361180A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111285522.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
-
公开(公告)号：CN113990756A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111244655.X
申请日：2016-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置，提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
-
公开(公告)号：CN105793994B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201480064849.3
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242448A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010692943.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。
-
公开(公告)号：CN106537604B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201580038493.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极。氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比大于M(M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)的原子个数比的第一区域。第二氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域。第二区域包括薄于第一区域的部分。
-
公开(公告)号：CN110600485A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910839846.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
-
公开(公告)号：CN105960712B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580007515.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。
-
公开(公告)号：CN110226219A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008351.3
申请日：2018-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
105
records
(took 0.051 seconds)
