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公开(公告)号：CN206422040U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041157.8
申请日：2017-01-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
摘要： 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN221304694U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202322932736.X
申请日：2023-10-31
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 本实用新型公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN215220737U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202121197794.7
申请日：2021-05-31
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/109
摘要： 本实用新型公开了一种纳米棒异质结光电探测结构，包括硅基底、二氧化硅层、若干组纳米棒异质结和源漏电极，所述二氧化硅层设置在所述硅基底上，所述纳米棒异质结均铺在所述二氧化硅层上方，所述源漏电极设置在所述纳米棒异质结的两侧，通过局域表面等离激元共振现象，当光照射在微纳结构上，形成局域表面等离激元共振，在等离激元诱导下，电子从金属中直接跃迁到半导体材料导带中，这种方式能够有效避免载流子转移过时弛豫、复合、束缚等过程的能量损失，从而解决了传统常规热电子跨越势垒转移途径热电子转移时所产生较高的能量损失的技术问题。
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公开(公告)号：CN214625089U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202121000154.2
申请日：2021-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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公开(公告)号：CN211907438U
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202020920019.9
申请日：2020-05-27
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本实用新型公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422070U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041034.4
申请日：2017-01-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要： 本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
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公开(公告)号：CN209217173U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201920010620.1
申请日：2019-01-04
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01P3/00
摘要： 本实用新型涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422052U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720132443.5
申请日：2017-02-14
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。
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公开(公告)号：CN221304699U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202322980419.5
申请日：2023-11-06
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
摘要： 本实用新型公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本实用新型利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。
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