公开(公告)号：CN103551736A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310462595.8

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/04

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（1）的内部对准焦点（P），在加工对象物（1）的表面（3）的切割预定线（5）上照射脉冲激光（L），通过使聚光点（P）沿着切割预定线（5）移动，沿着切割预定线（5）在加工对象物（1）的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线（5）分割加工对象物（1），能够用比较小的力切割加工对象物（1），由于在激光（L）的照射过程中，在加工对象物（1）的表面（3）上几乎不吸收脉冲激光（L），因此即使形成改质区也不会熔融表面（3）。

公开(公告)号：CN103537809A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310465296.X

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/04

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（1）的内部对准聚光点（P），在加工对象物（1）的表面（3）的切割预定线（5）上照射脉冲激光（L），通过使聚光点（P）沿着切割预定线（5）移动，沿着切割预定线（5）在加工对象物（1）的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线（5）分割加工对象物（1），能够用比较小的力切割加工对象物（1），由于在激光（L）的照射过程中，在加工对象物（1）的表面（3）上几乎不吸收脉冲激光（L），因此即使形成改质区也不会熔融表面（3）。

公开(公告)号：CN103537796A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310465314.4

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（1）的内部对准聚光点（P），在加工对象物（1）的表面（3）的切割预定线（5）上照射脉冲激光（L），通过使聚光点（P）沿着切割预定线（5）移动，沿着切割预定线（5）在加工对象物（1）的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线（5）分割加工对象物（1），能够用比较小的力切割加工对象物（1），由于在激光（L）的照射过程中，在加工对象物（1）的表面（3）上几乎不吸收脉冲激光（L），因此即使形成改质区也不会熔融表面（3）。

公开(公告)号：CN101862907B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201010165964.3

申请日：2004-07-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志

IPC: B23K26/36 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物(1)的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部(7、13)，同时，在加工对象物的内部、在对应于被处理部的规定位置形成微小空洞(8)。

公开(公告)号：CN101862907A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010165964.3

申请日：2004-07-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志

IPC: B23K26/36 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物(1)的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部(7、13)，同时，在加工对象物的内部、在对应于被处理部的规定位置形成微小空洞(8)。

公开(公告)号：CN101862906A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010165735.1

申请日：2004-07-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志

IPC: B23K26/36 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物(1)的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部(7、13)，同时，在加工对象物的内部、在对应于被处理部的规定位置形成微小空洞(8)。

公开(公告)号：CN101195190B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710149118.0

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  C03C23/00 ,  C03B33/08 ,  C03B33/09 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明涉及激光加工方法和装置，以及半导体芯片及其制造方法，其中该激光加工方法为，向晶片状的加工的对象物内部对准聚光点并照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，且在入射至加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着入射方向并列地形成多个改质区域，利用多个已形成的改质区域，沿着加工对象物的切割预定线在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。

公开(公告)号：CN101136361B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710147748.4

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  和久田敏光

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00 ,  C03B33/00 ,  C03B33/08 ,  C03B33/10

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明涉及一种激光加工方法，向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在加工对象物的内部形成，沿着所述加工对象物的切割预定线延伸且延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘的改质区域，以所述改质区域为切断的起点将所述加工对象物沿着所述切割预定线切断。

公开(公告)号：CN101400475A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008910.2

申请日：2007-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  大村悦二 ,  福满宪志 ,  熊谷正芳 ,  渥美一弘 ,  内山直己

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/037 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。

公开(公告)号：CN101369554A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810161873.5

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B28D1/22 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/08 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。