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公开(公告)号：CN105845822A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610173054.7
申请日：2016-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法，属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004?0.08Pa，溅射功率为30?50W，第三铁磁层的厚度为8?12nm，第二反铁磁层的厚度为10?18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整。
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公开(公告)号：CN105811066A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610168324.5
申请日：2016-03-21
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01P1/26 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01P11/00
Abstract: 本发明涉及一种微波通信工程领域的微波负载，尤其是能够在常用旋磁材料上制备的，应用于高频段、高功率场合的氮化钽薄膜微波负载及其制备方法。通过在现有的镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载制作工艺中，首先对镍锌铁氧体基片进行表面处理，即利用中频磁控溅射的方法在基片表面镀上一层2?100微米厚的氮化铝薄膜缓冲层后，再进行其余工艺操作完成整个镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载的制备。本发明在拥有良好的频率特性的同时，其额定功率在10瓦到30瓦之间，满足微波通信领域对微波负载的高功率要求，并且氮化铝薄膜缓冲层的制备工艺成熟简单且与之前氮化钽薄膜微波负载的制备工艺可以很好的兼容。
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公开(公告)号：CN105609960A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610055964.5
申请日：2016-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种带背腔结构的平面螺旋天线，属于微波器件领域。包括输入输出端口、指数渐变巴伦、平面螺旋天线、介质板和金属背腔，所述指数渐变巴伦包括平衡端和非平衡端，所述平衡端连接平面螺旋天线的两臂，所述非平衡端连接输入输出端口，所述指数渐变巴伦由金属背腔包裹；其特征在于，所述金属背腔为阶梯状结构，阶梯由平衡端到非平衡端方向上呈上升趋势。本发明平面螺旋天线采用新型的阶梯状背腔结构，实现了8-18GHz的宽带范围内驻波比小于1.45，具有较好的抗干扰能力，改善了平面螺旋天线的性能。
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公开(公告)号：CN103872459B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410109290.3
申请日：2014-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于LTCC技术的双层单馈圆极化微带贴片阵列天线，包括上、下层LTCC基板、馈电网络、上、下层辐射金属贴片天线阵列、金属探针、馈电端口和接地金属层，其中，下层辐射金属贴片天线阵列与馈电网络设于下层LTCC基板的上表面，上层辐射金属贴片天线阵列位于上层LTCC基板的上表面；所述上、下层辐射金属贴片天线阵列形状、尺寸相同，每个天线阵列由四个子阵列构成，每个子阵列由四个辐射金属贴片构成，其中每个辐射金属贴片均为加切角的正方形、一组对边上开设矩形缝隙。该天线更好地兼顾了微带贴片天线低剖面、圆极化、高增益的性能要求，同时大大提高天线的频带带宽。
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公开(公告)号：CN105449319A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510970286.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/18
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 一种带状线式铁氧体移相器，属于微波通信器件领域。自下而上依次为第一铁氧体层、第一介质层、第二介质层和第二铁氧体层，铁氧体移相器中心开一通孔，以通孔为中心的四个方向上分别为激励线圈结构、第一单元结构、第二单元结构和第三单元结构，所述单元结构包括位于第一介质层和第二介质层之间的带状线结构以及贯穿铁氧体移相器的金属柱。本发明带状线式铁氧体移相器在兼顾插入损耗和平均功率方面的优异性能的同时，能显著减小铁氧体移相器的体积，实现与有源电路的集成；且无需考虑介质材料与铁氧体材料的匹配问题，大大减小了工艺难度；将三个移相器单元集成于一个移相器空间内，增加了集成度，提高了磁化线的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105005010A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510390973.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。本发明磁阻传感器采用优化结构的置位/复位线圈层且采用LTCC技术制备，使得在不附加任何磁性辅助层的基础上，提供满足应用需求的磁场，并同时降低置位/复位操作所带来的能耗，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103320856B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310244408.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用无定形态的TiO2纳米管阵列薄膜为前驱物，首先将前驱物置于氟化铵水溶液中浸泡处理以初始化前驱物中所含氟离子浓度；然后将前驱物置于封闭容器中煅烧处理，使得前驱物在氟离子的催化作用和高温作用下坍塌并转变为表面含氟、且(001)暴露的TiO2纳米颗粒；最后经高温脱氟处理，得到无氟单晶TiO2纳米薄膜。本发明所制备的TiO2纳米薄膜具有更高的光催化性能和光电转换性能，在太阳能光伏器件、光分解水和光催化等方面有着广泛的应用前景。本发明采用两步或多步后期热处理组合工艺，具有可控性高、重复性好、生产效率高、合成成本低而且和可大规模制造等优点。
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公开(公告)号：CN104402427A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410705259.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料由主料、玻璃相助烧剂和助熔剂构成，其中主料的重量百分比为99.5％～99.8％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0.1％～0.4％，助熔剂重量百分比为0.1％，所述主料为Li0.42Zn0.28Ti0.13Fe2.17O4，所述玻璃相助烧剂由原料按照质量比ZnO：Bi2O3：SiO2,：Li2CO3＝5:3:1:1配制，所述助熔剂为粒径小于100nm的Al2O3纳米粉。本发明实现了LiZnTi铁氧体在低温(900～940℃)下的烧结和制备，并得到矫顽力低的铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN104198963A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410468037.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法，属于电子功能材料与器件技术领域，包括磁致伸缩基底，还包括金属缓冲层及压电薄膜，所述金属缓冲层的材质为金属钛或铬，所述金属缓冲层位于磁致伸缩基底与压电薄膜之间，压电薄膜上表面设有具有双端口的叉指换能器，叉指换能器与压电薄膜一起构成声表面波谐振器；所述叉指换能器包括输入电极、输出电极、位于输入电极外侧的输入端反射栅和位于输出电极外侧的输出端反射栅；所述压电薄膜的厚度范围为0.3～1μm，磁致伸缩基底的厚度大于2倍的声表面波波长。采用高度取向的压电薄膜、单轴各向异性和巨杨氏模量效应的磁致伸缩带材，实现传感器微型化，灵敏度高，一致性好，制备方法简单，适用于对磁场进行探测。
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公开(公告)号：CN104195552A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338437.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/02381 , H01L21/02565
Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。
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